系統設計文章列表

信號完整性

信號完整性

作者:安森美半導體現場(chǎng)應用工程首席工程師 Majid Dadafshar 摘要 信號完整性是許多設計人員在高速數字電路設計中涉及的主要主題之一。信號完整性涉及數字信號波形的質(zhì)量下降和時(shí)序誤差, ...
2020年09月11日 16:45   |  
信號路徑   信號完整性  
一招改善資產(chǎn)管理“現狀”

一招改善資產(chǎn)管理“現狀”

前期我們提到院校和企業(yè)目前儀器管理混亂,今天我們就儀器設備管理水平和保養工作處于相對滯后的狀態(tài),造成儀器使用壽命降低,采購管理不夠細化,儀器計量維護不能按時(shí)完成、管理人員對儀 ...
2020年08月27日 16:36
格芯贏(yíng)得AI芯片業(yè)務(wù)

格芯贏(yíng)得AI芯片業(yè)務(wù)

12LP+工藝改善晶體管,IP加速神經(jīng)網(wǎng)絡(luò ) 作者:Linley Gwennap(2020年7月27日) 像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術(shù),但初創(chuàng )公司和其他規模較小的公司卻因為復雜的設計規則和高昂 ...
2020年08月20日 15:34   |  
12LP   神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )   格芯  
如何識別和防止7nm工藝失效

如何識別和防止7nm工藝失效

作者:泛林集團 通過(guò)失效分類(lèi)、良率預測和工藝窗口優(yōu)化實(shí)現良率預測和提升 器件的良率在很大程度上依賴(lài)于適當的工藝規格設定和對制造環(huán)節的誤差控制,在單元尺寸更小的先進(jìn)節點(diǎn)上就更是如 ...
2020年08月17日 16:59   |  
虛擬制造   良率   VC-M1   7nm  
設備智能將成為預見(jiàn)未來(lái)的指路明燈

設備智能將成為預見(jiàn)未來(lái)的指路明燈

作者:Tim Archer 泛林集團總裁兼首席執行官 今年適逢泛林集團成立40周年,過(guò)去40年我們堅持不斷創(chuàng )新和突破,并取得了開(kāi)拓性進(jìn)展,其中包括對于設備智能的探索。展望未來(lái),我們認為,對于半 ...
2020年08月17日 16:41   |  
設備智能   芯片制造   泛林  

萊迪思Sentry解決方案集合與SupplyGuard服務(wù)提供具有動(dòng)態(tài)信任的端到端供應鏈保護

萊迪思半導體公司推出Lattice Sentry解決方案集合和SupplyGuard供應鏈保護服務(wù)。Sentry是一系列優(yōu)質(zhì)資源的組合,包括可定制化的嵌入式軟件、參考設計、IP和開(kāi)發(fā)工具,可加速實(shí)現符合NIST平臺固 ...
2020年08月13日 14:43   |  
Lattice   Sentry   SupplyGuard   硬件安全  
寬禁帶生態(tài)系統:快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶生態(tài)系統:快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

作者:安森美半導體 寬禁帶材料實(shí)現了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導 ...
2020年07月17日 16:58   |  
寬禁帶   快速開(kāi)關(guān)   SiC   spice  
用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積

用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積

作者:泛林集團 隨著(zhù)集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間,異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟的方式。作為異構集成平臺之一,高密度扇出 ...
2020年07月14日 09:51   |  
沉積   異構   泛林   銅柱  
多級存儲器與模擬內存內計算完美融合,人工智能邊緣處理難題迎刃而解

多級存儲器與模擬內存內計算完美融合,人工智能邊緣處理難題迎刃而解

作者:Vipin Tiwari ,Microchip嵌入式存儲器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)總監 機器學(xué)習和深度學(xué)習已成為我們生活中不可或缺的部分。利用自然語(yǔ)言處理(NLP)、圖像分類(lèi)和物體檢測實(shí)現的人工智能(AI)應用已深 ...
借助虛擬工藝加速工藝優(yōu)化

借助虛擬工藝加速工藝優(yōu)化

撰文:泛林集團半導體工藝整合總監Joseph Ervin 我們不斷向先進(jìn)的CMOS的微縮和新存儲技術(shù)的轉型,導致半導體器件結構的日益復雜化。例如,在3D NAND內存中,容量的擴展通過(guò)垂直堆棧層數的增 ...
2020年06月24日 16:52   |  
虛擬工藝   SEMulator3D  
原子級工藝實(shí)現納米級圖形結構的要求

原子級工藝實(shí)現納米級圖形結構的要求

作者:泛林集團 原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應,提供原子級控制。泛林集團先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士分享了他對這個(gè)話(huà)題的看法。 圖 1. 原子層工藝中的所有半周期反應 ...
2020年06月04日 15:43   |  
原子層工藝   泛林   沉積   刻蝕  

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