ZT: 華虹NEC兩項新技術(shù)榮獲創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)獎

步從容

2010/4/15/10:19來(lái)源：電子工程專(zhuān)輯

    2010年中國半導體市場(chǎng)年會(huì )于2010年3月9日至10日在上海召開(kāi)。大會(huì )公布了由中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )、中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì )、中國電子專(zhuān)用設備
工業(yè)協(xié)會(huì )、中國電子報等單位共同評選出的“第四屆（2009年度）中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)”獲獎結果，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”）的“0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝技術(shù)”和“芯片超級同測技術(shù)（SCT）”兩個(gè)項目分獲殊榮。

華虹NEC的0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝技術(shù)具有低動(dòng)態(tài)電流，極低靜態(tài)電流，存儲單元小，容量可配置，讀出速度快等優(yōu)良性能。達到業(yè)內領(lǐng)先的可靠性擦寫(xiě)壽命和數據保持時(shí)間。目前該技術(shù)平臺擁有各種容量的嵌入式閃存IP，齊全的模擬IP，高速靜態(tài)隨機存儲器和低功耗設計庫，高性能的IO單元以及完善的產(chǎn)品和測試方案，可廣泛應用于智能卡、MCU/SOC以及USBKey等產(chǎn)品。

華虹NEC成功地研發(fā)出世界領(lǐng)先的芯片同測數最高可達512的“超級同測技術(shù)(SCT，SuperConcurrentTesting)”。此技術(shù)的研發(fā)成功，有效地降低了晶圓測試成本，提升了測試效率和產(chǎn)品的競爭力，實(shí)現了最高可達較原有技術(shù)平臺的八倍測試效率，并可支持芯片高集成的晶圓測試，成為當今世界領(lǐng)先的測試技術(shù)平臺。此測試平臺現已成功應用，作為華虹NEC制造服務(wù)的拓展。此創(chuàng )新技術(shù)為國內主要集成電路設計公司的自主產(chǎn)品（智能卡、USBKey、可編程MCU等）提供了最優(yōu)化的測試方案。

華虹NEC總裁兼首席執行官邱慈云博士表示，“我們十分榮幸在中國半導體創(chuàng )新產(chǎn)品和技術(shù)評選中榮獲兩個(gè)獎項，這是華虹NEC持續創(chuàng )新的結果。華虹NEC一直保持著(zhù)嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先地位，也是中國智能卡與SIM卡芯片的最主要的制造商。本次獲獎的兩個(gè)項目正是華虹NEC過(guò)去幾年來(lái)在嵌入式非揮發(fā)性存儲器領(lǐng)域的最新成果，為下一代智能卡芯片提供了極具競爭力的全套工藝、設計支持與量產(chǎn)測試解決方案。”