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東芝公司基于其最初的NANO FLASH為嵌入式微控制器開(kāi)發(fā)出訪(fǎng)問(wèn)速度更快的NANO FLASH-100閃存。 嵌入式微控制器的豐富功能和高速性能需要更多訪(fǎng)問(wèn)速度更快的閃存。在意識到這一需求后，東芝開(kāi)發(fā)了融合兩大特性，即基于NAND閃存單元設備技術(shù)的高速編程和NOR閃存電路技術(shù)的NANO FLASH。隨后，東芝將這一高端性能帶給其獨創(chuàng )的微控制器和ARM內核微控制器。如今，隨著(zhù)越來(lái)越多的用戶(hù)使用ARM內核微處理器，市場(chǎng)上開(kāi)始需求速度更快的大內存容量。NANO FLASH-100便非常適合該市場(chǎng)。 特性： • 隨機訪(fǎng)問(wèn)頻率為業(yè)界最高的100MHz時(shí)，新開(kāi)發(fā)的NANO FLASH-100的等待周期為零。這就讓ARM微處理器的內核能夠充分利用需要高速、大容量?jì)却鎽玫某錾阅芎痛a密度。 • 通過(guò)利用NANO FLASH™微控制器的超低功耗技術(shù)，就可開(kāi)發(fā)出多種高速、低功耗應用。 繼其首款NANO FLASH-100產(chǎn)品TMPM440F10XBG之后，東芝將推出更多基于A(yíng)RM內核的產(chǎn)品，并將一如既往地為嵌入式微控制器積極開(kāi)發(fā)閃存技術(shù)。 |
