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近二十年來(lái)碳化硅半導體材料開(kāi)始被行內人士重視，因為它有許多優(yōu)勢。早在上世記50年代，在黃昆、謝希德合著(zhù)的“半導體物理學(xué)”著(zhù)作中已介紹了半導體碳化硅。最早進(jìn)入制作半導體器件的材料是鍺，隨后，硅和三、五族半導體材料登上了歷史舞臺。直至如今電力電子領(lǐng)域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設計理論有所突破，人們對更高性能的大功率半導體器件的期望也越來(lái)越迫切。 據權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng )新上。 SiC器件因為成熟度和可靠性更佳，發(fā)展腳步將領(lǐng)先GaN。SiC功率器件增長(cháng)動(dòng)力主要來(lái)自可再生能源領(lǐng)域，在太陽(yáng)能市場(chǎng)占有率將達32%。在軌道交通領(lǐng)域，SiC和GaN的應用相當，預計到2020年，兩者市場(chǎng)份額分別為16%和15%。在IT和電子設備市場(chǎng)，GaN較SiC更有優(yōu)勢，估計2020年市場(chǎng)份額可達14%。 GaN剛剛起步但后勁十足，GaN是一種寬帶隙材料，可提供類(lèi)似SiC的性能特色 ，但有更大的成本降低潛力。這一性?xún)r(jià)比優(yōu)勢是有可能實(shí)現的，因為GaN功率器件可在硅襯底上生長(cháng)出來(lái)，與SiC襯底相比，它的成本更低。 由于全球經(jīng)濟的不景氣和SiC的價(jià)格下降幅度并不如預期的大，SiC和GaN功率器件需求市場(chǎng)近幾年并沒(méi)有出現強烈增長(cháng)。與之相反，業(yè)界對GaN技術(shù)的信心開(kāi)始增長(cháng)，因為更多的半導體供應商宣布GaN的開(kāi)發(fā)計劃。 隨著(zhù)國家相關(guān)政策的完善及戰略性新興產(chǎn)業(yè)的崛起，電力電子技術(shù)在風(fēng)能、太陽(yáng)能、熱泵、水電、生物質(zhì)能、綠色建筑、新能源裝備、電動(dòng)汽車(chē)等先進(jìn)制造業(yè)等重要領(lǐng)域都將發(fā)揮重要作用，而這其中的許多領(lǐng)域都在“十二五”規劃中具備萬(wàn)億以上的市場(chǎng)規模，其必然帶動(dòng)電力電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，迎來(lái)重大的發(fā)展機遇。 據悉，PEC電力電子蘇州站（10月25-26日，蘇州會(huì )議中心），將迎來(lái)業(yè)界內知名企業(yè)及行業(yè)組織專(zhuān)家，共同探討SiC和GaN在未來(lái)的發(fā)展趨勢，以及能否真正意義上為國民經(jīng)濟帶來(lái)質(zhì)的飛躍等話(huà)題。如CREE科銳將隆重出席會(huì )議，并為觀(guān)眾帶來(lái)碳化硅器件的發(fā)展與應用的精彩演講，來(lái)自中國科學(xué)院州納米研究所的專(zhuān)家，將為業(yè)內分享GaN電力電子器件的相關(guān)知識。眾多權威專(zhuān)業(yè)媒體還將進(jìn)行現場(chǎng)報道，敬請期待！ 小知識： PEC是Power Electronics China的縮寫(xiě)，內容涵蓋電力電子器件(工業(yè)/消費)、電力電子裝置、GaN/SiC材料、汽車(chē)電力電子、半導體制造與封裝、電能質(zhì)量、電源管理、散熱管理、磁性元件、能量?jì)Υ�、無(wú)源器件以及測試測量等。 蘇州內容涵蓋電力電子市場(chǎng)發(fā)展趨勢等政策解讀、光伏、智能電網(wǎng)變革、能源互聯(lián)網(wǎng)、能源效率、汽車(chē)電力電子、電動(dòng)交通這、GaN與SiC等。 西安內容涵蓋電力電子市場(chǎng)發(fā)展趨勢、國產(chǎn)大功率器件、電力電子與軌道交通技術(shù)、生產(chǎn)與配套、GaN 與 SiC等。 |
