國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有極低的導通電阻 (RDS(on))。
IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只有500µΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動(dòng)態(tài)ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類(lèi)最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設計人員能夠在大電流應用內減少器件數量。 IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經(jīng)過(guò)擴充后，能夠滿(mǎn)足市場(chǎng)對動(dòng)態(tài)ORing和電子保險絲的高效開(kāi)關(guān)的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內提供行業(yè)領(lǐng)先的導通電阻，從而實(shí)現無(wú)可比擬的功率密度�！� 與DirectFET系列的其它器件一樣，IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無(wú)鍵合線(xiàn)設計。此外，DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長(cháng)生命周期的設計。同類(lèi)的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。 規格
IR的StrongIRFET系列同時(shí)提供采用了行業(yè)標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環(huán)保封裝，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。 產(chǎn)品現正接受批量訂單。更多信息和Spice模型請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
