Vishay推出采用小尺寸、散熱增強型PowerPAK MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620輸出電流超過(guò)60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%，但效率更高出3%，最高可達95%。這些器件封裝的寄生參數比離散方案小，使開(kāi)關(guān)頻率可以達到1.5MHz，能有效提高功率密度，降低總體方案成本。
該器件包含的高端和低邊TrenchFET Gen IV N溝道低導通阻抗的MOSFET，先進(jìn)的MOSFET驅動(dòng)IC，以及自舉的肖特基勢壘二極管，全部集成在小尺寸25mm2面積內。SiC620的驅動(dòng)IC兼容各種PWM控制器，支持5V和3.3V的三態(tài)PWM邏輯。 SiC620家族完全符合DrMOS 4.0標準，針對筆記本電腦、服務(wù)器、游戲機、圖形卡、交換機和存儲系統，以及其他采用CPU的高功率系統中的高功率、多相降壓穩壓器，以及大電流的非隔離負載點(diǎn)模塊。Buck變換器在12V輸入時(shí)是最優(yōu)的，輸入電壓可以從4.5V到16V的范圍，PWM傳輸延遲小于20ns。器件具有優(yōu)異的散熱性能，工作溫度比前一代方案的溫度低50℃以上。 器件的驅動(dòng)IC集成了零電流檢測電路，可以改善輕負載條件下的效率，且自適應式死區時(shí)間控制有助于進(jìn)一步提高所有負載點(diǎn)下的效率。保護功能包括欠壓鎖定(UVLO)、擊穿保護和過(guò)熱警告以便在結溫過(guò)高時(shí)向系統發(fā)出告警。 |
