三星電子今日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級服務(wù)器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務(wù)器中央處理器已經(jīng)上市，此時(shí)量產(chǎn)該款DRAM產(chǎn)品將推動(dòng)高端服務(wù)器市場(chǎng)從DDR3向DDR4的轉換。
基于20納米8Gb DDR4的服務(wù)器用DDR4內存模塊，與基于DDR3的模塊相比，數據傳送速度提升了約30%，實(shí)現了2400Mbps的超高性能。同時(shí)，相對于DDR3模塊的1.5伏工作電壓，新產(chǎn)品只需1.2伏電壓，因而耗電量也更低。 此外，如果只基于現有的4Gb DRAM，最多只能生產(chǎn)出容量為64GB的內存模塊。然而如果結合此次推出的8Gb DRAM和今年8月三星電子全球首先投入量產(chǎn)的硅通孔（Through Silicon Via, TSV）封裝技術(shù)，那么則可以生產(chǎn)出最大容量為128GB的內存模塊，從而進(jìn)一步推動(dòng)高密度DRAM市場(chǎng)的發(fā)展。 三星電子存儲芯片市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)部負責人白智淏副總裁表示：“此次推出的20納米8Gb DDR4 DRAM大大滿(mǎn)足了推動(dòng)下一代企業(yè)級服務(wù)器市場(chǎng)發(fā)展所需的三大要素,即高性能，高密度和高節能。今后，三星將繼續提升20納米DRAM產(chǎn)品的比重，以高性能和高密度的產(chǎn)品滿(mǎn)足全球高端服務(wù)器用戶(hù)日益增長(cháng)的需求�！� 三星電子在今年3月成功量產(chǎn)全球首款20納米PC用DRAM之后，至今仍是業(yè)內唯一一個(gè)有能力量產(chǎn)20納米DRAM的企業(yè)。此后，三星電子繼而在今年9月推出20納米移動(dòng)DRAM，加之今天推出的20納米服務(wù)器用DRAM，可以說(shuō)三星已經(jīng)構建了足以引領(lǐng)“20納米DRAM新紀元”的完整的產(chǎn)品線(xiàn)。 今后，通過(guò)把生產(chǎn)效率高的4Gb產(chǎn)品用于PC，封裝小且芯片堆疊層數少的6Gb產(chǎn)品用于移動(dòng)設備，大容量的8Gb產(chǎn)品用于服務(wù)器，三星電子將會(huì )根據用途對各種容量的DRAM產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化組合，以差別化的產(chǎn)品戰略引領(lǐng)DRAM市場(chǎng)的發(fā)展。 欲知更多詳情，敬請訪(fǎng)問(wèn)三星綠色存儲主頁(yè)：www.samsung.com/GreenMemory |
