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近日，韓國蔚山科學(xué)技術(shù)大學(xué)能源化學(xué)工學(xué)部教授白鐘范成功用合成氮和碳，開(kāi)發(fā)出比硅功能強100倍的新的半導體材料。該項研究成果已刊登在國際學(xué)術(shù)雜志《Nature Communications》上。 之前，很多研究人員認為，替代硅半導體的理想物質(zhì)將是石墨的單原子層“石墨烯（Graphene）”。石墨烯之所以被稱(chēng)為“革命性的新材料”是因為導熱性能好且沒(méi)有電氣的抵抗。但僅由導電的部分，難以制造電路。 而白鐘范研究小組將碳和氮以化學(xué)方式合成，在石墨烯內制造了不導電的空間，從而制造出電路。該新材料達電和不達電時(shí)的信號傳達比率（閃 爍比率）為1000萬(wàn)倍。到目前為止，性能最好的硅半導體的閃爍比率為10萬(wàn)倍。閃爍比率越高，信號傳達越正確，被評價(jià)為最優(yōu)質(zhì)的半導體。 此外，新材料與不耐熱的半導體相比，還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是溫度在600攝氏度以上時(shí)也穩定運轉。 目前用于半導體制造的硅在狹窄的空間里制造多條電路，因過(guò)熱而出故障或遭到損失。雖然三星電子上月開(kāi)發(fā)了電路線(xiàn)的幅度10納米（1納米=10億分之1米）的硅半導體技術(shù)，但學(xué)術(shù)界認為5納米達到上限。 來(lái)源：中央社 |
