|
從武岳峰等資本公司聯(lián)合收購 ISSI，到面板廠(chǎng)京東方宣告進(jìn)入 DRAM 市場(chǎng)，搶進(jìn) DRAM市場(chǎng)的意圖愈發(fā)明顯，然而，挾著(zhù)重金，外界擔心中國 DRAM 廠(chǎng)將使現在漸趨平衡的生態(tài)再起波瀾，中國進(jìn)入市場(chǎng)對于臺廠(chǎng)又會(huì )造成什么樣的威脅，研究機構 Bernstein Research 從幾個(gè)面向分析，認為中國若朝主流 DRAM 發(fā)展勝算并不大。 中國存儲器產(chǎn)業(yè)布局仍未明朗 中國國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金宣告投入 1，200 億人民幣（約合 6，080 億新臺幣），今年 3 月中國武岳峰資本等公司資本聯(lián)合買(mǎi)下 ISSI （Integrated Silicon Solution），宣告中國半導體布局伸向 DRAM 產(chǎn)業(yè)，ISSI 主要發(fā)展利基型 DRAM 與 SRAM，外界預估對主流存儲器市場(chǎng)的影響并不大。4 月初再傳中國面板廠(chǎng)京東方也意圖進(jìn)入存儲器市場(chǎng)，中國芯謀研究（ICwise ）首席半導體分析師顧文軍發(fā)文指稱(chēng)，京東方?jīng)Q定涉足存儲器市場(chǎng)的新聞為子虛烏有，但也未把話(huà)說(shuō)死，顧同篇發(fā)言也引述京東方董事長(cháng)王東升先前強調會(huì )關(guān)注并且 涉足半導體的發(fā)言。至少在短期之間，京東方進(jìn)軍 DRAM 產(chǎn)業(yè)仍未明朗。據悉，中國半導體扶植政策下，將選擇一個(gè)省市設置本土的 DRAM 廠(chǎng)，上海、北京、合肥等五個(gè)省市爭取之中，誰(shuí)能勝出、策略為何也還未有定數。比較確定的是，武漢新芯集成電路（XMC） 今年 2 月宣布與美國 NOR 快閃存儲器領(lǐng)導廠(chǎng)商 Spansion 合作研發(fā) 3D NAND 技術(shù)，第一個(gè)產(chǎn)品預計于 2017 年問(wèn)世。目前 3D NAND 技術(shù)除了三星已正式量產(chǎn)，其他大廠(chǎng)仍處送樣階段或預計下半年小規模量產(chǎn)。技術(shù)仍屬起步階段，制作成本仍高，武漢新芯與 Spansion 發(fā)展 3D NAND 技術(shù)，還得視能否兼顧成本以及每個(gè)存儲器的電性表現。 鉅額投資不一定取得了市占 存儲器產(chǎn)業(yè)為典型資本密集與技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)。先從資本談起，光土地、廠(chǎng)房不含設備，可能就得耗掉 150~200 億臺幣，研究機構 Bernstein 預估，若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一個(gè)市場(chǎng)的一席之地，至少需 15% 左右的市占，以 2014 年第四季產(chǎn)能來(lái)估算，一個(gè)月產(chǎn)出得達 20 萬(wàn)片（資本支出大約在 200 億美元，約 6，260 億新臺幣左右）。 
追逐市占的過(guò)程中，若產(chǎn)能一個(gè)月增加到 20 萬(wàn)片的幅度，市場(chǎng)將出現超額供給，對于初期生產(chǎn)成本較高的新進(jìn)者而言，價(jià)格會(huì )掉到成本以下，新進(jìn)者即便前面 16~24 個(gè)月之間投入 200 億美元以上的資本支出，十年內仍會(huì )落后產(chǎn)業(yè)先進(jìn)者一個(gè)世代以上。Bernstein 預估，新進(jìn)者投入 DRAM 產(chǎn)業(yè)，將得承受前面十年 400 億美元（約 1.3 兆新臺幣）的虧損，投入 NAND 產(chǎn)業(yè)前面十年也要有面臨 350 億美元（約 1.1 兆新臺幣）損失的心理準備。 即便付出了大把銀兩，也無(wú)法保證在這產(chǎn)業(yè)勝券在握，臺灣就是一個(gè)血淋淋的例子。1990 年代～2010 年臺灣投入了超過(guò) 500 億美元（約 1.6 兆新臺幣）發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，就為了取得一定的市占，在 2004～2006 年產(chǎn)業(yè)一片榮景之下，更是大舉擴充產(chǎn)能，然 2007 年產(chǎn)能開(kāi)始過(guò)剩，DRAM 價(jià)格暴跌，2008 年金融海嘯后，情況更為嚴峻，臺廠(chǎng)躊躇是否投資之際，2010 年三星資本支出翻倍至 18 兆韓圜（約 5，578 億新臺幣），傾力發(fā)展 DRAM 技術(shù)，血洗了當時(shí)產(chǎn)業(yè)，缺乏自有技術(shù)、不堪虧損臺廠(chǎng)后來(lái)也敗下陣來(lái)。2001～2010 年十年之間，DRAM 市場(chǎng)擁有 80 億美元的獲利，倘若排除三星所賺的 170 億美元，整個(gè) DRAM 市場(chǎng)虧了 90 億美元，排除韓廠(chǎng)，整個(gè)產(chǎn)業(yè)虧損更是將近 130 億美元。在這期間德國大廠(chǎng)奇夢(mèng)達破產(chǎn)倒閉，臺灣力晶與茂德嚴重虧損面臨重整，南亞科也轉進(jìn)利基型晶片，市場(chǎng)份額不復以往，臺廠(chǎng)中較具規模的只剩美光入股的 華亞科。爾后，臺廠(chǎng)制程技術(shù)始終落后三星等 DRAM 領(lǐng)導廠(chǎng)商一個(gè)世代，成本也因此居高不下，最終茂德與力晶也退出 DRAM 市場(chǎng)，前者轉型 IC 設計，后者轉入晶圓代工市場(chǎng)。 龐大技術(shù)壁壘待克服 挺得住金錢(qián)的損失，背后還有龐大的技術(shù)壁壘需克服，存儲器產(chǎn)業(yè)復雜性高，在 DRAM 產(chǎn)業(yè)即便是成立已久的華亞科與南亞科，發(fā)展先進(jìn)制程仍需美光的技術(shù)授權。而美光在 NAND 產(chǎn)業(yè)成了后進(jìn)之輩（進(jìn)入時(shí)間 2004 年），與 SK 海力士（進(jìn)入時(shí)間 2003 年），即便在 NAND 業(yè)務(wù)的利潤毫不遜色，但在十余年之后，技術(shù)仍落后于東芝 SanDisk 與三星等領(lǐng)導者。三星、SanDisk、東芝等先進(jìn)者紛紛轉進(jìn)較具成本優(yōu)勢的 TLC（3bit MLC），調研機構 DRAMeXchange 預估 2015 年 TLC 產(chǎn)出比重將逐漸攀升，第四季甚至接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出，然從下圖表一可看出，2014 年第四季產(chǎn)業(yè)后進(jìn)的美光與 SK 海力士還未能發(fā)展出 TLC 技術(shù)，此外，三星與海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做為技術(shù)授權費用給 SanDisk(圖表二） 圖表一
圖表二 存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)日趨復雜，且單一技術(shù)發(fā)展已現瓶頸，如行動(dòng)裝置需求爆發(fā)下，有望取代 eMMC 成為 NAND Flash 的最大應用的 eMCP 技術(shù)，就得結合 DRAM。存儲器也日漸講求解決方案，如何結合系統技術(shù)或軟體商也變得比以往都來(lái)得重要。除了武漢新芯與 Spansion 的合作，武漢新芯與中芯國際也曾找過(guò)臺灣 NOR 大廠(chǎng)旺宏尋求合作，但已遭拒，中國在存儲器產(chǎn)業(yè)上還未有更多合作伙伴現身。Bernstein 認為，鉅額資金與龐大技術(shù)壁壘，中國走向主流存儲器產(chǎn)業(yè)，發(fā)展高密度存儲器產(chǎn)品并非易事，相反地，在物聯(lián)網(wǎng)裝置蓬勃發(fā)展下，相關(guān)的低密度存儲器應用，可能是中國初進(jìn)存儲器市場(chǎng)較可能的發(fā)展路徑。 來(lái)源：technews |
2.jpg (31.17 KB)
