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華虹半導體有限公司最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺。該工藝平臺作為華虹半導體0.18微米超低漏電技術(shù)的延續，可為客戶(hù)提供一個(gè)完美兼具高性能、低功耗、低成本優(yōu)勢于一身的差異化解決方案。 新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺支持低至于1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺的存儲器IP具有10萬(wàn)至50萬(wàn)次擦寫(xiě)次數、讀取速度達20ns等獨特優(yōu)勢，尤其是，該技術(shù)的動(dòng)態(tài)功耗達25uA/MHz，靜態(tài)功耗達50nA，可大幅提升電池壽命，延長(cháng)時(shí)下最熱門(mén)的物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴式設備的待機時(shí)間。該平臺還具有邏輯單元集成度高，包含電源管理單元等特點(diǎn)，門(mén)密度達到300K gate/mm2以上，能夠幫助客戶(hù)進(jìn)一步縮小芯片面積。 該工藝平臺的最大特點(diǎn)是可在同一工藝中集成射頻(RF)、eFlash和EEPROM，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC(System-on-a-Chip)芯片，具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等顯著(zhù)優(yōu)勢，并降低設計、制造和測試成本。該工藝平臺擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP，同時(shí)也提供高密度存儲器編輯器(Memory Complier)和標準單元庫，可為客戶(hù)量身定制性?xún)r(jià)比優(yōu)越、全面靈活的解決方案，加速客戶(hù)產(chǎn)品上市時(shí)間。 基于該工藝平臺生產(chǎn)的低功耗微控制器(MCU)主要適用于各種智慧節能型產(chǎn)品，例如物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴式設備、智能電網(wǎng)、嵌入式智能互聯(lián)設備、醫療電子、照明，以及工業(yè)和汽車(chē)電子等方面的應用。 “0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺成功集成了超低功耗的數�；旌霞夹g(shù)、嵌入式存儲技術(shù)及低成本的CMOS射頻技術(shù)，進(jìn)而大幅提升客戶(hù)產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力�！比A虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示，“與微控制器相輔相成的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規模預期將由2013年的 250億美元增至2020年的602億美元。我們面向物聯(lián)網(wǎng)，成功推出0.11微米超低漏電嵌技術(shù)，進(jìn)一步壯大了豐富多樣的低功耗嵌入式存儲器工藝平臺組合，充分滿(mǎn)足多元化市場(chǎng)需求�！� |
