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獨得蘋(píng)果A10訂單的臺積電正歡呼雀躍的時(shí)候，有一個(gè)巴掌重重地打了過(guò)來(lái)：此前宣布的10nmFinFET工藝，居然只相等于英特爾的十二納米；那么，事實(shí)到底是怎么樣的呢？ 前不久的股東大會(huì )上，臺積電CEO劉德音被美國分析師BrettSimpson（布雷特·辛普森）的一個(gè)問(wèn)題難住了：Brett Simpson竟然問(wèn)臺積電7nmFinFET工藝比起英特爾即將量產(chǎn)的10nm工藝，在性能特征上的差距。 “你得去問(wèn)我們的顧客，我無(wú)法為他們回答�！憋@然，劉德音有點(diǎn)尷尬。如果是幾年前，這并不是問(wèn)題。根據摩爾定律，7nm工藝比10nm工藝制出的電晶體縮小一半，效能、耗電等各項指標都大幅度超越；可以說(shuō)，7nm工藝比10nm工藝領(lǐng)先一個(gè)世代。 而這位分析師的問(wèn)題，是首次超越了半導體業(yè)界遵循30年的摩爾定律范疇，被稱(chēng)為困擾業(yè)界多年的半導體工藝“魔術(shù)數字”問(wèn)題。業(yè)內人士認為，Brett Simpson在暗示，臺積電還未量產(chǎn)的7nm和英特爾10nm工藝，屬于同一世代的技術(shù)，也就是說(shuō)，臺積電10nm相當于英特爾12nm。 對于Brett Simpson的說(shuō)法，不少臺積電的客戶(hù)都表示認同。臺積電大客戶(hù)、世界最大IC設計公司高通首席技術(shù)官Matt Grob (葛羅布)指出，獨吃A10處理器的16納米工藝，是目前臺積電量產(chǎn)的最尖端工藝，僅相當于英特爾的20納米工藝。 Matt Grob (葛羅布)表示，半導體行業(yè)中，晶圓代工廠(chǎng)商的工藝數字都經(jīng)過(guò)不同程度的“美化”，包括臺積電、三星以及格羅方德，他們的工藝數字都經(jīng)過(guò)不同程度的“優(yōu)化”。結果是讓業(yè)界“非常困擾（芯易網(wǎng)注）。 “即使是高通內部的會(huì )議簡(jiǎn)報，都不能直接套用晶圓代工廠(chǎng)公告的技術(shù)數字，而必須經(jīng)過(guò)換算。我們要問(wèn)清楚，這個(gè)硅晶圓上到底可以放多少個(gè)邏輯電路？”Matt Grob稱(chēng)。 一位資深業(yè)者透露，聯(lián)發(fā)科內部存在一套關(guān)于制程工藝的換算方式，從這個(gè)方式來(lái)看：臺積電的16nm和英特爾的20nm相等，10nm和英特爾的12nm相仿。同理，未來(lái)臺積電的7nm，可能會(huì )比英特爾要好一些。 臺積電早期采用的16nm FinFET工藝，原計劃是跟英特爾一樣成為20nm FinFET。因為其16nm工藝的電晶體最小線(xiàn)寬(half-pitch)，與前一代量產(chǎn)的20nm 電晶體工藝差不多，只不過(guò)是換上全新的FinFET電晶體。 可以說(shuō)，整個(gè)半導體行業(yè)的晶圓代工廠(chǎng)基本是跟著(zhù)因特爾的腳步。引發(fā)現在這種一個(gè)工藝，各自表述“混亂”場(chǎng)面的始作俑者是三星，時(shí)間是在之前的2、3年前，當時(shí)整個(gè)產(chǎn)業(yè)導入全新的鰭式場(chǎng)效應晶體管（FinFET）。 一位前臺積高階主管透露，同樣的（20nm）工藝，三星已搶先命名為“14納米”，如果臺積電還用20nm命名，肯定很吃虧�！拔覀冎辽儆悬c(diǎn)良心，不敢像三星那樣隨便命名”這位前臺積高層無(wú)奈稱(chēng)。 命名習慣被打亂之后，讓外行人很難搞懂，英特爾、臺積電、三星這半導體三雄的技術(shù)，哪個(gè)更先進(jìn)一點(diǎn)？例如，英特爾原先預計在第三季度發(fā)布的10納米工藝處理器，卻在不久前宣布延后至明年。因此，量產(chǎn)時(shí)間也將落后于臺積電量產(chǎn)的“10nm”工藝。 當臺積電發(fā)布10nm FinFET工藝時(shí)，業(yè)內人士大都明白，彼“10nm”不等于此“10nm”，目前，臺積電在技術(shù)上仍落后英特爾（至少）一個(gè)技術(shù)世代。不過(guò)，臺積電正在縮小和英特爾的技術(shù)差距，“我們認為這些差距正在縮小，而且還會(huì )持續縮小�！备咄ㄊ紫癄I(yíng)運官戴瑞克說(shuō)道。 |
| 不管怎樣 都還是為臺積電高興 |
| 這不是騙人嗎？ |
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