|
GreenBridge 提供的熱性能、效率和尺寸優(yōu)勢都要優(yōu)于 POE PD 中使用的二極管 Fairchild今天發(fā)布了FDMQ8205，這增強了其業(yè)界領(lǐng)先的 GreenBridge 4顆MOSFET有源橋技術(shù)。FDMQ8205是其 GreenBridge 新一代產(chǎn)品系列中第一款產(chǎn)品，適合于通過(guò)POE供電的應用，諸如安全攝像機、無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)、LED 照明和其他用電設備 (PD)。 通過(guò)利用 GreenBridge 方案提供的業(yè)界最佳 Rdson 性能、極小的尺寸和卓越的熱性能，設計人員能夠降低設備的工作溫度、提高效率并減少解決方案的尺寸。 
先進(jìn)的GreenBridge技術(shù)符合IEEE 802.3at標準，比肖特基二極管的功耗小90%。這種卓越的熱性能讓設計者能夠減小甚至不使用散熱器，以便簡(jiǎn)化產(chǎn)品設計，降低BOM成本，縮小電路板尺寸。 Fairchild 智能功率FET 事業(yè)部副總裁 Suman Narayan 表示： “對于熱的處理一直都是一個(gè)重大的設計挑戰，對于新一代功率高達甚至超過(guò)25.5W的IoT設備更是如此。我們的 GreenBridge 采用最新的MOSFET技術(shù)，幫助工程師消除過(guò)多的熱，實(shí)現關(guān)鍵系統設計目標，包括更高的效率，確保符合標準，降低整體尺寸和降低成本 �！� 新一代GreenBridge 系列產(chǎn)品極低的導通損耗是另一個(gè)重要優(yōu)勢，因為POE 系統的輸入功率有限，需要最大化功率和電壓。GreenBridge 系列具有業(yè)界最佳的 Rdson 性能，由于其采用優(yōu)化的 PowerTrench MOSFET 技術(shù)，提供更佳的功率轉換效率，其導通損耗比最接近的競爭產(chǎn)品也要低 47%。 GreenBridge 器件的小尺寸也使得它們非常適合新一代基于POE設備，它們尺寸比以前的基于POE設備更小。在僅為 4.5 mm x 5 mm 的 MLP 封裝中，GreenBridge 器件 包含四個(gè)以全橋方式連接的 MOSFET。除了尺寸小，GreenBridge器件還不需要外部驅動(dòng)，因此節省了更多 PCB 空間。 供貨情況 新的FDMQ8205 產(chǎn)品目前已量產(chǎn)。閱 GreenBridge 博客并訪(fǎng)問(wèn) fairchildsemi.com.cn/greenbridge，了解更詳細的產(chǎn)品信息、評估板和樣品。 |
