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來(lái)源：Digitimes 三星電子(Samsung Electronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(Spin Transfer Torque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開(kāi)MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 韓媒指出， STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術(shù)。與目前的NAND Flash相比，寫(xiě)入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過(guò)少量電力就可以驅動(dòng)的非揮發(fā)性存儲器，不使用時(shí)也完全不需要電力。 MRAM的另外一項特征是壽命時(shí)間無(wú)限。NAND Flash反覆讀寫(xiě)后，壽命就會(huì )大幅縮短。雖然最近靠著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)延長(cháng)了NAND Flash的使用壽命，但仍未出現顛覆性的改善技術(shù)。 MRAM自2007年亮相，2011年三星電子買(mǎi)下?lián)碛蠸TT-MRAM技術(shù)的開(kāi)發(fā)公司Grandis。而SK海力士(SK Hynix)則是與東芝(Toshiba)合作，共同研發(fā)MRAM技術(shù)。 然而，這樣比NAND Flash讀寫(xiě)速度還快，又沒(méi)有壽命問(wèn)題的MRAM卻有一個(gè)致命的缺點(diǎn)，那就是50納米以下的微細制程相當困難，費用又極為龐大。過(guò)去這段期間，半導體大廠(chǎng)如英特爾(Intel)、美光(Micron)等雖然積極進(jìn)行MRAM的研發(fā)，但到目前為止，都未能研發(fā)出比NAND Flash更高整合度、更低生產(chǎn)價(jià)格的MRAM，以致遲遲不能商品化。 在此次三星與IBM共同研發(fā)成功研發(fā)11納米MRAM之后，情況將有望大幅轉變。用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置感測器、移動(dòng)裝置等領(lǐng)域的機會(huì )將會(huì )無(wú)窮無(wú)盡。長(cháng)期來(lái)看，更有望可以取代NAND Flash市場(chǎng)。 另一方面，三星與IBM除了在次世代存儲器事業(yè)上有合作以外，也傳出正在研擬于人工智能(AI)、半導體事業(yè)的合作方案。 |
