|
為物聯(lián)網(wǎng)應用提供更低功耗；高性?xún)r(jià)比的SONOS非易失性存儲器具備高良率和可擴展的工藝特點(diǎn) 賽普拉斯半導體公司與上海華力微電子有限公司（華力）今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS （氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存知識產(chǎn)權相結合，為閃存產(chǎn)品樹(shù)立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始使用這項技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對藍牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器（MCU）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用的理想選擇。2017年下半年，華力的客戶(hù)即可采用該技術(shù)和設計IP進(jìn)行全面量產(chǎn)。 賽普拉斯的SONOS嵌入式非易失性存儲器(NVM) 工藝與其他嵌入式NVM技術(shù)相比具有顯著(zhù)的優(yōu)勢。SONOS擁有更小的存儲單元尺寸、更低的生產(chǎn)成本，與其他嵌入式閃存技術(shù)需要9至12層額外的掩膜不同，SONOS技術(shù)只需要在原有CMOS工藝上增加3層。SONOS本身具有高良率和極佳的可靠性、10年的數據保持、20萬(wàn)次編程/擦寫(xiě)壽命，以及強大的抗軟錯誤能力。賽普拉斯已經(jīng)展示了將SONOS延伸到40納米和28納米節點(diǎn)的能力，以加速未來(lái)IP的開(kāi)發(fā)。 華力副總裁舒奇表示：“物聯(lián)網(wǎng)應用對低成本、低功耗嵌入式閃存的需求不斷提升，我們非常高興能夠達到這個(gè)里程碑，同時(shí)我們也希望能夠實(shí)現迅速量產(chǎn)的目標，以滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。賽普拉斯SONOS嵌入式非易失性存儲器技術(shù)具備高性?xún)r(jià)比和高良率的特性，其可靠性和高效性對于量產(chǎn)低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品十分理想�！� 賽普拉斯存儲器產(chǎn)品事業(yè)部資深副總Sam Geha表示： “華力堅實(shí)的55納米低功耗工藝技術(shù)和生產(chǎn)經(jīng)驗與我們高性能、具備領(lǐng)先可靠性的SONOS閃存技術(shù)的結合，確保了這些低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品順利實(shí)現試產(chǎn)。我們與華力的合作再次證明了，SONOS技術(shù)將通過(guò)賽普拉斯與世界領(lǐng)先代工廠(chǎng)的合作而成為嵌入式非易失性存儲器平臺的最佳選擇，同時(shí)也展示了賽普拉斯致力于解決新興物聯(lián)網(wǎng)應用所面臨的功耗問(wèn)題的決心�！� |
