OptiMOS推出線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管,兼具低RDS(on)值與大安全工作區

發(fā)布時(shí)間:2017-7-31 15:56    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: OptiMOS , MOSFET
英飛凌科技股份公司推出OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管系列。這個(gè)全新產(chǎn)品系列兼具溝槽型功率場(chǎng)效應管的低導通電阻(RDS(on))與平面MOSFET的大安全工作區。這就解決了RDS(on)與線(xiàn)性模式功能之間的平衡問(wèn)題。OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管可在增強模式MOSFET的飽和區工作。OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管最適合電信和電池管理系統(BMS)中常見(jiàn)的熱插拔、電子熔斷器和保護應用。

耐用的線(xiàn)性模式操作和更高的脈沖電流都有助于實(shí)現較低傳導損耗、更快啟動(dòng)和更短的停機時(shí)間。通過(guò)限制較高的勵磁涌流,OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管可在發(fā)生短路的情況下防止負載損壞。

供貨

OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管現可供貨,有三個(gè)電壓等級:100 V、150 V和200 V。它們可采用D2PAK或D2PAK 7pin封裝。這些行業(yè)標準封裝兼容簡(jiǎn)易替換元件。如需了解詳情,敬請訪(fǎng)問(wèn):www.infineon.com/optimos-linearfet。

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