華虹NEC 0.18微米BCD工藝進(jìn)入量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2010-12-30 20:21    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: BCD , 華虹
上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.18微米BCD(BipolarCMOSDMOS)-- BCD180工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺是華虹NEC針對數字電源、電機驅動(dòng)、音頻功放、LED驅動(dòng)、電池保護和高端電源管理等新興應用而開(kāi)發(fā)的,具有高集成度、低功耗、低開(kāi)啟電阻、多樣工藝選項和可編程等優(yōu)點(diǎn),極大地方便客戶(hù)選擇,為客戶(hù)提供更多的價(jià)值。

作為國內首家提供0.35微米BCD和CDMOS量產(chǎn)工藝平臺的代工廠(chǎng),華虹NEC積累了豐富的BCD工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗;诹慨a(chǎn)五年以上的成熟的0.18微米邏輯CMOS工藝,結合自身積累的BCD技術(shù),華虹NEC進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了具有國際先進(jìn)水平的0.18微米BCD量產(chǎn)平臺,性能指標達到國際先進(jìn)水平,由此成為國內首家、全球少數幾家可以提供0.18微米BCD量產(chǎn)工藝的代工廠(chǎng)之一。

該工藝平臺配備了業(yè)界標準的1.8V/5V的數;旌螩MOS技術(shù),有助于減少設計人員開(kāi)發(fā)和驗證邏輯電路的時(shí)間,從而減少開(kāi)發(fā)周期。精心設計的高功率 LDMOS具有世界先進(jìn)水平的低導通電阻和柵寄生電容,其最大工作電壓可達40V,主要面向模擬和高速開(kāi)關(guān)應用,提高了產(chǎn)品的穩定性和可靠度,開(kāi)關(guān)速度更快,能量轉化效率更高,安全工作區更廣。
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sisc1525 發(fā)表于 2011-1-19 17:27:41
很強悍!
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