UnitedSiC推出1200V SiC FET,為IGBT、硅和SiC MOSFET用戶(hù)提供業(yè)界最高性能升級途徑

發(fā)布時(shí)間:2018-5-25 11:23    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 碳化硅 , SiC , JFET , 共源共柵
UJ3C1200系列是一種直接更換的解決方案,無(wú)需改變柵極驅動(dòng)電壓

功率因數校正(PFC)、主動(dòng)前端整流器、LLC轉換器和相移全橋轉換器的設計人員現在可以通過(guò)使用來(lái)自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅(SiC )結型場(chǎng)效應晶體管(JFET)共源共柵(cascodes)來(lái)升級現有系統的性能。這些器件的電壓額定值為1200 V,導通電阻為80和40mΩ,能夠為許多現有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供“直接更換”替代解決方案,而無(wú)需改變柵極驅動(dòng)電路。這簡(jiǎn)化了設計升級,并為現有零部件提供了可替代采購來(lái)源。

對于功率因數校正、主動(dòng)前端整流器、LLC轉換器和相移全橋轉換器等應用,需要更高的效率和/或功率密度,所涉及的終端應用包括車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電器、叉車(chē)電池充電、光伏逆變器以及焊接等。

UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù),將一個(gè)碳化硅 JFET與定制設計的硅MOSFET集成在一起,憑借SiC JFET的速度、效率和高溫額定值,實(shí)現通常關(guān)運行、高性能體二極管和MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅動(dòng)的完美組合。因此,現有系統可以實(shí)現性能提升,降低傳導和開(kāi)關(guān)損耗,提高熱性能,并集成有柵極ESD保護。在新設計中,UnitedSiC UJ3C1200系列可提供實(shí)質(zhì)性的系統優(yōu)勢,能夠提高開(kāi)關(guān)頻率和效率,并可減小磁性元件和電容器等被動(dòng)元件的尺寸和成本。

UnitedSiC將在PCIM 2018 ECOMAL歐洲展臺7-406上展示1200V FET系列產(chǎn)品。

UnitedSiC還將參加兩個(gè)小組討論:
“未來(lái)5年電源制造商面臨的挑戰和機遇”-- 2018年6月5日(星期二)12:00 - 13:00,6展廳155號展位。
“碳化硅 – 面向未來(lái)設計的器件” --- 2018年6月6日(星期三),13:30 – 14:30, 6展廳155號展位。

有關(guān)UnitedSiC的更多信息,請訪(fǎng)問(wèn)www.unitedsic.com。

價(jià)格和供貨

UJ3C1200系列碳化硅場(chǎng)效應晶體管現已經(jīng)在授權分銷(xiāo)商處銷(xiāo)售,發(fā)貨數量最低為500件,起價(jià)為10.39美元。

主要優(yōu)勢

•        低Rdson:降低傳導損耗
•        靈活的柵極驅動(dòng):易于直接更換IGBT、硅或其他碳化硅MOSFET設計,或使用0V至12V簡(jiǎn)單柵極驅動(dòng),節省BOM成本
•        低熱阻:允許更高的RMS電流,提供更多的輸出功率
•        ESD保護:HBM Class 2級別保護,確保柵極上的過(guò)壓尖峰被鉗位

評論

UnitedSiC副總裁Anup Bhalla在談及新型SiC晶體管系列的優(yōu)勢時(shí)表示:“這些令人興奮的新器件能夠使設計人員采用SiC技術(shù),而無(wú)需擔心柵極驅動(dòng)器的復雜性。高性能體二極管和集成式柵極ESD保護為設計人員帶來(lái)更多附加值,同時(shí)幫助用戶(hù)獲得許多獨家供應商部件的第二來(lái)源!

技術(shù)資料

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