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SiC MOSFET支持高能效、小外形、強固和高性?xún)r(jià)比的高頻設計，用于汽車(chē)、可再生能源和數據中心電源系統 安森美半導體(ON Semiconductor)推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車(chē)級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長(cháng)終端應用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源。 
這標志著(zhù)安森美半導體壯大其全面且不斷成長(cháng)的SiC 生態(tài)系統，包括SiC二極管和SiC驅動(dòng)器等互補器件，以及重要設計資源如器件仿真工具、SPICE模型和應用信息，以幫助設計和系統工程師應對高頻電路的開(kāi)發(fā)挑戰。 安森美半導體的1200伏(V)、80毫歐(mΩ)、SiC MOSFET是強固的，符合現代高頻設計的需求。它們結合高功率密度及高能效的工作優(yōu)勢，由于器件的更小占位，可顯著(zhù)降低運行成本和整體系統尺寸。這些特性使需要的熱管理更少，進(jìn)一步減少物料單(BoM)成本、尺寸和重量。 新器件的關(guān)鍵特性和相關(guān)設計優(yōu)勢包括領(lǐng)先同類(lèi)的低漏電流、具低反向恢復電荷的快速本征二極管，從而大大降低功耗，支持更高頻率工作和更高功率密度，低導通損耗(Eon)及關(guān)斷損耗(Eoff) / 快速導通及關(guān)斷結合低正向電壓降低總功耗，因此減少散熱要求。低電容支持以很高頻率開(kāi)關(guān)的能力，減少惱人的電磁干擾(EMI)問(wèn)題；同時(shí)，更高浪涌、雪崩能力和強固的短路保護增強整體強固性，提高可靠性和延長(cháng)總預期使用壽命。 安森美半導體新的SiC MOSFET另一獨特的優(yōu)勢是具有專(zhuān)利的終端結構，增加了可靠性和強固性，并增強了工作穩定性。NVHL080N120SC1設計用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強固的短路保護。符合AEC-Q101的MOSFET及其它SiC器件，確�？沙浞钟糜谝蛉赵龅�電子含量和電動(dòng)動(dòng)力總成而興起的越來(lái)越多的車(chē)載應用。175℃的最高工作溫度適合汽車(chē)設計，以及高密度和空間限制推高典型環(huán)境溫度的其他目標應用。 安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁兼總經(jīng)理Gary Straker就新的SiC MOSFET的推出和公司寬禁帶生態(tài)系統的總體增強說(shuō)：“最重要的應用和當前的大趨勢越來(lái)越要求超越常規硅器件的全方面性能。安森美半導體全面的SiC產(chǎn)品陣容因這兩款新MOSFET的推出而增強，并由含一系列工具和資源的生態(tài)系統支持，說(shuō)明我們不僅可提供完整的寬禁帶器件方案，還可引導工程師通過(guò)開(kāi)發(fā)和導入設計流程實(shí)現預期功能的、具性?xún)r(jià)比、高可靠性及長(cháng)使用壽命的方案�！� |
