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三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務(wù)于高端應用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間預計在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領(lǐng)域是下一代企業(yè)級服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。 第三代10nm級工藝即1z nm（在內存制造中，用x/y/z指代級，工藝區間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術(shù)，單芯片容量8Gb（1GB）。三星表示，1z nm是業(yè)內目前最頂尖的工藝，生產(chǎn)效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿(mǎn)足日益增長(cháng)的市場(chǎng)需求。 三星還表示，將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM芯片的產(chǎn)能，同時(shí)上述先進(jìn)技術(shù)還將應用于未來(lái)的DDR5、LPDDR5、GDDR6產(chǎn)品上。不過(guò)，三星電子聯(lián)席CEO金基南（Kim Ki-nam）不久前還指出，由于智能機市場(chǎng)增長(cháng)乏力，數據中心公司削減投資，公司的存儲芯片等零部件業(yè)務(wù)預計將面臨艱難一年。 --電腦之家 |
