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英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節點(diǎn)，此一計劃預計在2013下半年實(shí)現。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 但英特爾微影技術(shù)總監Sam Sivakumar指出，超紫外光(EUV)微影技術(shù)正面臨缺乏關(guān)鍵里程碑的危機。 盡管英特爾在距今4年前便已開(kāi)始計劃10nm節點(diǎn)，但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設計規則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏�！癊UV趕不及參與10nm節點(diǎn)設計規則的定義�！盨ivakumar說(shuō)。 Sivakumar表示，若生產(chǎn)工具順利在2012年下半年交貨，那么，EUV技術(shù)仍然很可能被應用在該公司的10nm節點(diǎn)。但即便如此，EUV技術(shù)的進(jìn)度仍然落后。 英特爾正在考慮兩家公司的EUV技術(shù)工具：ASML和Nikon。據報導，ASML公司即將為英特爾推出一款“預生產(chǎn)”的EUV微影工具。ASML公司的這款工具名為NXE:3100，它采用Cymer公司的光源。 而Nikon日本總部和研發(fā)組織Selete則已開(kāi)發(fā)了EUV alpha工具。今年或明年，ASML和Nikon應該都能推出成熟的EUV工具。 盡管如此，對EUV技術(shù)而言，時(shí)間依然緊迫。EUV是下一代微影(next-generation lithography, NGL)技術(shù)，原先預計在65nm時(shí)導入芯片生產(chǎn)。但該技術(shù)一直被推遲，主要原因是缺乏光源能(power sources)、無(wú)缺陷光罩、阻抗和量測等基礎技術(shù)。 先進(jìn)芯片制造商們仍然指望能將EUV技術(shù)用在量產(chǎn)上，以努力避免可怕且昂貴的雙重曝光(double patterning)光學(xué)微影技術(shù)。然而，除了朝雙重曝光方向發(fā)展之外，芯片制造商們似乎別無(wú)選擇。專(zhuān)家認為，目前EUV主要瞄準16nm或更先進(jìn)的節點(diǎn)。 設計規則的規則 英特爾在45nm節點(diǎn)使用干式193nm微影。在32納米則首次使用193nm浸入式生產(chǎn)工具，這部份主要使用Nikon的設備。 在22納米，英特爾將繼續使用193nm浸入式微影技術(shù)。這家芯片巨頭將在22nm節點(diǎn)的關(guān)鍵層同時(shí)使用ASML和Nkion的設備，預計2011下半年進(jìn)入量產(chǎn)。 而后在14nm，這家芯片制造商將繼續使用193nm浸入式微影加上雙重曝光技術(shù)，該公司稱(chēng)之為兩次間距曝光(pitch splitting)。在一些會(huì )議上，英特爾曾提及在14nm節點(diǎn)使用五倍曝光(quintuple patterning)。該公司希望為14nm節點(diǎn)建立一條EUV試產(chǎn)線(xiàn)，但目前尚不清楚EUV技術(shù)所需的準備時(shí)間。 英特爾已經(jīng)確定其14nm節點(diǎn)的設計規則，有時(shí)甚至在產(chǎn)品量產(chǎn)前兩年便制訂完成�！搬槍�14nm的設計規則目前是確定的�！盨ivakumar說(shuō)。 在65納米及以上制程，英特爾采用2D隨機和復雜的布局設計芯片。但在45nm時(shí)則很難再將2D隨機布局微縮。因此，在推進(jìn)到45nm時(shí)，英特爾便轉移到1D的單向、柵格式(gridded)設計規則，他說(shuō)。 針對10nm節點(diǎn)，英特爾希望在非關(guān)鍵層使用193nm浸入式技術(shù)，以及在更復雜和更精細的線(xiàn)切割步驟中使用EUV�！霸谶@些步驟中，EUV是我們的首要選擇，”他說(shuō)。如果EUV尚未就緒，那么英特爾很可能會(huì )使用無(wú)光罩或193nm浸入式技術(shù)來(lái)處理線(xiàn)切割步驟。 英特爾也已大致確立了其10nm設計規則，它將是基于1D單向、柵格式的設計。但難題是：英特爾的10nm設計規則必須以EUV或是193nm浸入式方案其中一種為主，他表示。 EUV顯然趕不及英特爾的10nm節點(diǎn)設計規則定義時(shí)程了，他說(shuō)。據報導，英特爾已開(kāi)始制定基于193nm浸入式和多重曝光(multiple-patterning)的設計規則。 當EUV工具就緒，英特爾可能會(huì )回頭重新定義設計規則。因此，實(shí)際上EUV仍有可能用于10nm節點(diǎn)。但若工具沒(méi)有準備好，英特爾就必須尋求其他的選擇。該公司的10納米設計規則將正式在2013年第一季抵定。 |
