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這肯定是很多人關(guān)心的問(wèn)題，下面通過(guò)一個(gè)例子看看會(huì )有什么樣的結論： 測試手段如下： 主循環(huán)一直在做一個(gè)變量的自加(sum1++)，當然前提保證不會(huì )溢出。 用Cortex-M3內部的Systick計數，以一秒鐘為限，這個(gè)sum1的數值大小，可以判斷哪種方式比較快。為了嚴密，我們觀(guān)察第一秒到第二秒之間的計數效果；而不是從第0秒到第1秒（因為使能Systick到真正開(kāi)始執行sum1++可能有間隙）。在第一次進(jìn)入Systick的ISR時(shí)，記錄下sum1的值；第二次進(jìn)入Systick的ISR時(shí)，再次記錄sum1的值，兩次值之差即為一秒鐘間隔中sum1執行了多少次自加。由此看出哪種方式比較快。 同樣的測試前提：Prefetch Buffer Enable + Flash Latenty="2" (根據Flash Programming Manual中要求的那樣，當48MHz 測試結果如下： 不對代碼優(yōu)化，在RAM中執行程序：sum1計數69467/秒 不對代碼優(yōu)化，在FLASH中執行程序：sum1計數43274/秒 (Flash里跑得慢) /***********循環(huán)體內代碼為N個(gè)以下的block*************/ (1)LDR R0,[PC, #0x154] (2)LDR R1,[PC, #0x154] (3)LDR R1,[R1,#0] (4)ADDS R1, R1,#0x1 (5)STR R1,[R0, #0] ...... /****************************************************/ 打開(kāi)速度優(yōu)化開(kāi)關(guān)，在RAM中執行程序：sum1計數98993/秒 打開(kāi)速度優(yōu)化開(kāi)關(guān)，在FLASH中執行程序：sum1計數115334/秒 (Flash里跑得快) /***********循環(huán)體內代碼為N個(gè)以下的block*************/ (1)LDR R1,[R1,#4] (2)ADDS R1, R1,#0x1 (3)STR R1,[R0, #0] ...... /****************************************************/ 結論就是： 1）程序運行在RAM里速度快還是運行在Flash里速度快，不是絕對的一概而論的，取決于代碼； 2）就以上兩種具體的代碼情況來(lái)說(shuō)，我覺(jué)得無(wú)優(yōu)化時(shí)，如果在Flash里執行：(1)(2)的取指(讀flash)->譯碼->執行 (讀flash)；取指和執行階段flash的目標地址不是連續的，因此是non-sequencial access，所以會(huì )很慢； 打開(kāi)優(yōu)化時(shí)，(1)(2)(3)都不會(huì )造成flash的non-sequential access，所以在flash里的優(yōu)勢（取指和取數據走不同的總線(xiàn)ICode和DCode以及Prefetch）就體現出來(lái)了。 再進(jìn)一步的分析，又有這樣一些結論： 沒(méi)有優(yōu)化時(shí)，指令執行時(shí)要到Flash中取常數，結果造成指令預取隊列的取指中斷，取完常數后需要重新填充指令預取隊列，而Flash訪(fǎng)問(wèn)需要插入等待周期，當然時(shí)間就比較長(cháng)了。 經(jīng)過(guò)代碼優(yōu)化后，指令執行時(shí)不用再到Flash中取常數，指令預取隊列不會(huì )被打斷，而Flash訪(fǎng)問(wèn)需要插入等待周期的效應被下面貼子中介紹的取指緩沖區抵消，所以自然速度就快了；而這個(gè)時(shí)候在RAM中執行反而慢了是因為RAM不在ICode總線(xiàn)上，從RAM取指需要繞一圈，當然要比在ICode總線(xiàn)上的Flash慢了。 關(guān)于Flash的性能，請看我的另一篇分析：【分析】STM32從Flash中運行程序的時(shí)序分析 另外，STR9與STM32的總線(xiàn)架構是一樣的，這里有一個(gè)在STR9上實(shí)現的FFT函數的實(shí)測數據，可以進(jìn)一步說(shuō)明在Flash中運行代碼可以比在RAM中快！ 在ST的網(wǎng)站上有一個(gè)DSP的函數庫，這是它的文檔《STR91x DSP library (DSPLIB)》，在這篇文檔中有一節討論FFT運算速度的，那里給出了實(shí)際的運算時(shí)間比較，摘錄如下： Radix-4 Complex FFT Operation Mode Cycle Count Microseconds 64 Point Program in Flash & Data in SRAM 2701 28.135 64 Point Program & Data in SRAM 3432 35.75 64 Point Program & Data in Flash 3705 38.594 256 Point Program in Flash & Data in SRAM 13740 143.125 256 Point Program & Data in SRAM 18079 188.323 256 Point Program & Data in Flash 19908 207.375 最初發(fā)表日期：2008-8-28 |
