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一般計算機系統所使用的隨機存取內存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機存取內存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過(guò)程，在上電期間數據不會(huì )丟失。 SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。 DRAM即是動(dòng)態(tài)隨機存儲器,動(dòng)態(tài)隨機存儲器采用動(dòng)態(tài)存儲單元的隨機存儲器，簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM或是動(dòng)態(tài)RAM。 SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即刻會(huì )消失，因此SRAM具有相對較高的性能，但是SRAM也有缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。 SRAM是比DRAM更為昂貴，但更為快速、低功耗（僅空閑狀態(tài)）。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制，也更是隨機訪(fǎng)問(wèn)。由于復雜的內部結構，SRAM比DRAM的占用面積更大，因而不適合用于更高儲存密度低成本的應用，如PC內存。 時(shí)鐘頻率與功耗 SRAM功耗取決于它的訪(fǎng)問(wèn)頻率。如果用高頻率訪(fǎng)問(wèn)SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達到幾個(gè)瓦特量級。另一方面SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計—幾個(gè)微瓦特級別。英尚微電子VTI代理SRAM芯片,提供技術(shù)支持指導. VTI 低功耗SRAM型號
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| SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。 |
| DRAM即是動(dòng)態(tài)隨機存儲器,動(dòng)態(tài)隨機存儲器采用動(dòng)態(tài)存儲單元的隨機存儲器，簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM或是動(dòng)態(tài)RAM。 |
| SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即刻會(huì )消失，因此SRAM具有相對較高的性能，但是SRAM也有缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。 |
