一般計算機系統所使用的隨機存取內存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機存取內存兩種,差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維系數據保存,SRAM的數據則不需要刷新過(guò)程,在上電期間數據不會(huì )丟失。 SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器,不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。 DRAM即是動(dòng)態(tài)隨機存儲器,動(dòng)態(tài)隨機存儲器采用動(dòng)態(tài)存儲單元的隨機存儲器,簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM或是動(dòng)態(tài)RAM。 SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內部的數據即刻會(huì )消失,因此SRAM具有相對較高的性能,但是SRAM也有缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大 ,相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。 SRAM是比DRAM更為昂貴,但更為快速、低功耗(僅空閑狀態(tài))。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制,也更是隨機訪(fǎng)問(wèn)。由于復雜的內部結構,SRAM比DRAM的占用面積更大,因而不適合用于更高儲存密度低成本的應用,如PC內存。 時(shí)鐘頻率與功耗 SRAM功耗取決于它的訪(fǎng)問(wèn)頻率。如果用高頻率訪(fǎng)問(wèn)SRAM,其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達到幾個(gè)瓦特量級。另一方面SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器,其功耗將非常小,在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計—幾個(gè)微瓦特級別。英尚微電子VTI代理SRAM芯片,提供技術(shù)支持指導. VTI 低功耗SRAM型號
|
SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器,不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。 |
DRAM即是動(dòng)態(tài)隨機存儲器,動(dòng)態(tài)隨機存儲器采用動(dòng)態(tài)存儲單元的隨機存儲器,簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM或是動(dòng)態(tài)RAM。 |
SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內部的數據即刻會(huì )消失,因此SRAM具有相對較高的性能,但是SRAM也有缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大 ,相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。 |