如何辨別SRAM是否屬于動(dòng)態(tài)隨機存儲器

發(fā)布時(shí)間:2020-3-12 15:10    發(fā)布者:英尚微電子
一般計算機系統所使用的隨機存取內存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機存取內存兩種,差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維系數據保存,SRAM的數據則不需要刷新過(guò)程,在上電期間數據不會(huì )丟失。

SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器,不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。


DRAM即是動(dòng)態(tài)隨機存儲器,動(dòng)態(tài)隨機存儲器采用動(dòng)態(tài)存儲單元的隨機存儲器,簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM或是動(dòng)態(tài)RAM。

SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內部的數據即刻會(huì )消失,因此SRAM具有相對較高的性能,但是SRAM也有缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大 ,相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。

SRAM是比DRAM更為昂貴,但更為快速、低功耗(僅空閑狀態(tài))。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制,也更是隨機訪(fǎng)問(wèn)。由于復雜的內部結構,SRAM比DRAM的占用面積更大,因而不適合用于更高儲存密度低成本的應用,如PC內存。

時(shí)鐘頻率與功耗
SRAM功耗取決于它的訪(fǎng)問(wèn)頻率。如果用高頻率訪(fǎng)問(wèn)SRAM,其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達到幾個(gè)瓦特量級。另一方面SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器,其功耗將非常小,在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計—幾個(gè)微瓦特級別。英尚微電子VTI代理SRAM芯片,提供技術(shù)支持指導.

VTI  低功耗SRAM型號
Density
Org.
P/N
Temp.
Vcc(V)
Speed(ns)
C/S Option
Package
Packing
1Mbit
128K x 8
VTI501NB08
Industrial
3.3
45/55
2C/S
32TSOP1
Tray
1Mbit
128K x 8
VTI501NB08
Industrial
3.3
45/55
2C/S
32sTSOP1
Tray
1Mbit
128K x 8
VTI501NB08
Industrial
3.3
45/55
2C/S
32SOP
Tray
1Mbit
128K x 8
VTI501HB08
Industrial
5.0
45/55
2C/S
32TSOP1
Tray
1Mbit
128K x 8
VTI501HB08
Industrial
5.0
45/55
2C/S
32sTSOP1
Tray
1Mbit
128K x 8
VTI501HB08
Industrial
5.0
45/55
2C/S
32SOP
Tray
1Mbit
64K x 16
VTI501NL16
Industrial
3.3
45/55
1C/S
44TSOP2
Tray
1Mbit
64K x 16
VTI501NL16
Industrial
3.3
45/55
1C/S
48BGA
Tray
1Mbit
64K x 16
VTI501HL16
Industrial
5.0
45/55
1C/S
48BGA
Tray
1Mbit
64K x 16
VTI501HL16
Industrial
5.0
45/55
1C/S
44TSOP2
Tray



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英尚微電子 發(fā)表于 2020-3-12 15:12:21
SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器,不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。
英尚微電子 發(fā)表于 2020-3-12 15:13:52
DRAM即是動(dòng)態(tài)隨機存儲器,動(dòng)態(tài)隨機存儲器采用動(dòng)態(tài)存儲單元的隨機存儲器,簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM或是動(dòng)態(tài)RAM。
英尚微電子 發(fā)表于 2020-3-12 15:16:43
SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內部的數據即刻會(huì )消失,因此SRAM具有相對較高的性能,但是SRAM也有缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大 ,相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。
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