關(guān)于召開(kāi)“第三代半導體技術(shù)、材料、設備與市場(chǎng)論壇2020”的通知

發(fā)布時(shí)間:2020-7-27 10:04    發(fā)布者:JoannaChen
關(guān)鍵詞: 第三代半導體 , GaN , SiC , 廈門(mén)
日期:2020-09-08
地點(diǎn):廈門(mén)
網(wǎng)址: http://idepwa1pt9m7lqzd.mikecrm.com/lMNIpvd
與第一代和第二代相比,第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力,更適合制造耐高溫、高壓的大功率及高頻器件,目前公認最具代表性的是SiC和GaN材料。

特斯拉Model 3逆變器采用意法半導體的全SiC功率模塊,之后,越來(lái)越多的車(chē)企都計劃在主逆變器上應用SiC器件。2019年SiC器件市場(chǎng)約為5億美元,預計市場(chǎng)年均增速將高達40%,目前主要由英飛凌、意法、羅姆等國外廠(chǎng)商占據。國內SiC產(chǎn)業(yè)投資熱度高漲,已披露的投資項目約20個(gè),覆蓋從襯底到功率模塊全產(chǎn)業(yè)鏈,投資金額達300億元。

GaN在5G宏基站和毫米波小基站以及快充市場(chǎng)中獲得應用。由于高頻下具有較高的輸出功率和效率,GaN在射頻領(lǐng)域應用較多。2020年2月,小米推出65W GaN充電器,從0充電至100%僅需45分鐘,引發(fā)市場(chǎng)熱捧。2019年GaN器件市場(chǎng)約為0.8億美元,預計年增速也高達40%。目前GaN射頻市場(chǎng)主要由Cree、Macom、Intel等占據,功率市場(chǎng)有英飛凌、Transphorm等。近來(lái)年,國內企業(yè)如三安集成、海威華芯等也在積極布局GaN項目。

后疫情時(shí)期,隨著(zhù)中國政府推動(dòng)的新基建產(chǎn)業(yè)興起,5G、新能源汽車(chē)、消費電子等行業(yè)的快速發(fā)展,SiC和GaN產(chǎn)業(yè)和相關(guān)企業(yè)將迎來(lái)空前的發(fā)展機遇。

第三代半導體技術(shù)、材料、設備與市場(chǎng)論壇2020擬定于9月8-9日廈門(mén)召開(kāi)。會(huì )議將由亞化咨詢(xún)主辦,多家國內外龍頭企業(yè)重點(diǎn)參與。

有關(guān)事宜通知如下:

一、   研討會(huì )議題:

1.   全球與中國第三代半導體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
2.   中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)政策與項目規劃
3.   第三代半導體技術(shù)發(fā)展趨勢
4.   SiC PVT長(cháng)晶技術(shù)&液相法的現狀及發(fā)展
5.   新基建相關(guān)產(chǎn)業(yè)對第三代半導體及材料的需求
6.   SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案
7.   GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應用
8.   GaN在快充市場(chǎng)中的發(fā)展及替代情況
9.   第三代半導體國產(chǎn)化與技術(shù)及設備發(fā)展機遇與挑戰
10.     其他化合物半導體,如GaAs等
11.     工業(yè)參觀(guān)與考察

二、   時(shí)間:2020年9月8-9日

三、   會(huì )議地點(diǎn):廈門(mén)五緣灣凱悅酒店

四、   報到時(shí)間:2020年9月7日  17:00-20:00

五、   會(huì )議注冊費和回執,請聯(lián)系:
陳經(jīng)理:021-68726606-109/13701609248(微信同號)
或填寫(xiě)表單預報名:http://idepwa1pt9m7lqzd.mikecrm.com/lMNIpvd

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