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MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲信息的存儲技術(shù)（MRAM設備是Spintronics設備）。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車(chē)，工業(yè)，軍事和太空應用，Everspin代理英尚微電子為用戶(hù)提供技術(shù)指導及產(chǎn)品應用解決方案。 基于微機電系統（MEMS）的磁力計將使用MRAM替代日本研究衛星上的靜態(tài)RAM和閃存。MRAM取代了Angstrom的SpriteSat模塊中的閃存和電池供電的SRAM。MRAM在衛星任務(wù)的各個(gè)階段重新配置關(guān)鍵程序和航線(xiàn)定義的能力是一項重大收益。 工程師在SpriteSat上檢查了Angstrom航空航天公司基于MRAM的磁力計子系統，該子系統將由日本航空航天開(kāi)發(fā)局啟動(dòng)。 MRAM于1990年代構想，可以替代從RAM到硬盤(pán)的各種類(lèi)型的內存。由于它是固態(tài)的，因此MRAM超越了硬盤(pán)的旋轉機制。同樣，由于單個(gè)位可以無(wú)限次地擦除和重寫(xiě)，因此MRAM超過(guò)了閃存，后者只能在小于100萬(wàn)次的大塊中擦除和重寫(xiě)，直到位開(kāi)始失效。MRAM也是非易失性的。 Angstrom Aerospace在其衛星子系統中僅使用MRAM。MRAM將保存存儲的程序數據以及其現場(chǎng)可編程門(mén)陣列的配置位。此外MRAM相對容易的重新編程能力將允許通過(guò)將新的內存映像上傳到MRAM來(lái)從頭對程序代碼和FPGA進(jìn)行重新配置。 例如Everspin MRAM MR2A16A存儲4 Mbit數據，對于軍事和航空航天等利基應用，MRAM開(kāi)始取代其他類(lèi)型的內存。MR2A16A是永久存儲和檢索關(guān)鍵數據和程序的應用程序的理想存儲器。擁有商業(yè)，工業(yè)運行溫度。MR2A16A MRAM具有在-55至+125攝氏度的溫度范圍內符合軍事規格。Everspin MRAM在-40至+105攝氏度下運行。提供AEC-Q100 1級合格選項。35ns的讀寫(xiě)速度，具有無(wú)限的耐力。數據非易失性，使用壽命長(cháng)達20年。數據保留掉電。符合RoHS的軟件包等功能。 MR2A16A 
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| Everspin MRAM MR2A16A存儲4 Mbit數據，對于軍事和航空航天等利基應用，MRAM開(kāi)始取代其他類(lèi)型的內存。MR2A16A是永久存儲和檢索關(guān)鍵數據和程序的應用程序的理想存儲器。擁有商業(yè)，工業(yè)運行溫度。 |
| MR2A16A MRAM具有在-55至+125攝氏度的溫度范圍內符合軍事規格。Everspin MRAM在-40至+105攝氏度下運行。提供AEC-Q100 1級合格選項。35ns的讀寫(xiě)速度，具有無(wú)限的耐力。數據非易失性，使用壽命長(cháng)達20年。數據保留掉電。符合RoHS的軟件包等功能。 |
