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賽普拉斯半導體公司日前宣布推出具有 32 位總線(xiàn)寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL（更長(cháng)電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著(zhù)提升系統性能，從而充分滿(mǎn)足電信、計算機、外設、消費類(lèi)產(chǎn)品、醫療、軍事等領(lǐng)域的應用需求。 賽普拉斯堪稱(chēng)低功耗 SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司，提供了廣泛的 SRAM 產(chǎn)品系列（從 4 Kb到 128 Mb）。全新 128 Mb (CY62192ESL)、64 Mb (CY62182ESL) 和 32 Mb (CY62172ESL) MoBL 器件均可提供 32 位 I/O 配置，存取時(shí)間 (TAA) 為 55 納秒，并支持寬泛的電壓 (1.7V~5.5V)。上述低功耗異步 SRAM 采用賽普拉斯高性能 90 納米 R95™ CMOS 技術(shù)制造而成，并采用 14.0 x 22.0 x 2.4 毫米、符合 RoHS 標準的 119 BGA 封裝。 賽普拉斯異步存儲事業(yè)部高級總監 Sunil Thamaran 指出：“如果應用需要在 SRAM 和控制器之間傳輸大量數據，包括圖像、音頻、視頻和游戲應用等，那么吞吐量就是一個(gè)重要的性能指標。賽普拉斯推出全新 32 位 SRAM 器件，突顯了其始終致力于滿(mǎn)足該市場(chǎng)領(lǐng)域的高性能需求。此外，我們也已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)發(fā)采用 65 納米技術(shù)的新一代高性能異步存儲器產(chǎn)品，其將進(jìn)一步降低功耗，并新增包括 ECC 在內的高級功能�！� |
