非易失性Flash詳解

發(fā)布時(shí)間:2020-12-7 14:09    發(fā)布者:宇芯電子
關(guān)鍵詞: Nand Flash , Nor Flash , Flash
Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器,其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand Flash兩大類(lèi)。

Nor Flash
Nor Flash的特點(diǎn)是芯片內執行(XIP ),應用程序可以直接在內存Flash內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。Nor Flash的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益。

Nand Flash
Nand Flash的結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較復雜。

非易失性存儲器–Nor Flash
Nor Flash根據數據傳輸的位數可以分為并行和串行,并行Nor Flash每次傳輸多個(gè)bit位的數據;而串行Nor Flash每次傳輸一個(gè)bit位的數據。并行Nor Flash比串行Nor Flash具有更快的傳輸速度。

串行Nor Flash
主要接口有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式。

并行Nor Flash
主要接口有8位、16位、8位/16位可選的數據傳輸方式。

非易失性存儲器-Nor Flash特點(diǎn)
特點(diǎn):Nor Flash是非易失存儲,一般用于程序代碼存儲
主推容量256Kb-512Mb
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛。
并行:MCU需帶外部總線(xiàn),速度快,內部無(wú)FLASH等
用在A(yíng)MR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺上

非易失性存儲器-Nand Flash特點(diǎn)
特點(diǎn):容量大,寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)適用于大數據的存儲
主推容量512Mb-8Gb
并行:MUC帶外部存儲控制器、數據量大、速度快
用在A(yíng)MR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系統
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小

Flash的應用



Nor Flash與Nand Flash的區別
NOR
1.讀速度快,寫(xiě)速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次數約10萬(wàn)次
4.容量小256Kb-512Mb
5.單位容量?jì)r(jià)格高,適用于小容量程序存儲
6.不易產(chǎn)生壞塊
NAND
1.讀速度慢,寫(xiě)速度快
2.擦除速度快(( 1000:1)
3.擦除次數約100萬(wàn)次
4.容量大512Mb-8Gb
5.單位容量?jì)r(jià)格低,適用于大容量數據存儲
6.較易產(chǎn)生壞塊,需ECC校驗

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宇芯電子 發(fā)表于 2020-12-7 14:09:53
非易失性存儲器-Nor Flash特點(diǎn)
特點(diǎn):Nor Flash是非易失存儲,一般用于程序代碼存儲
主推容量256Kb-512Mb
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛。
并行:MCU需帶外部總線(xiàn),速度快,內部無(wú)FLASH等
用在A(yíng)MR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺上
宇芯電子 發(fā)表于 2020-12-7 14:11:56
易失性存儲器-Nand Flash特點(diǎn)
特點(diǎn):容量大,寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)適用于大數據的存儲
主推容量512Mb-8Gb
并行:MUC帶外部存儲控制器、數據量大、速度快
用在A(yíng)MR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系統
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小
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