利用虛擬工藝建模贏(yíng)得全球半導體技術(shù)的競爭

發(fā)布時(shí)間:2020-12-9 11:02    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 虛擬制造 , 建模 , 虛擬晶圓
作者:泛林集團

半導體工藝的開(kāi)發(fā)絕非易事,每一代器件研發(fā)的難度和成本在不斷提升。用傳統的先構建再測試的方法來(lái)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的工藝過(guò)于耗時(shí)且成本過(guò)高,如今已經(jīng)不再適用。

工藝開(kāi)發(fā)的高成本

大多數芯片設計師需要基于現有制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,但這些工藝本身也需要工程師來(lái)開(kāi)發(fā)。工藝開(kāi)發(fā),相較于設計新的芯片,對于工程師以及他們的技能要求完全不同。前者的目標在于創(chuàng )造新的半導體制造工藝,不僅要滿(mǎn)足器件性能要求而且要保證高良率。

過(guò)去的開(kāi)發(fā)人員需要準備多種測試晶圓來(lái)確定特定器件的最佳工藝需求。他們需要先制造一組晶圓并對其做分析,然后基于分析結果來(lái)改進(jìn)下一輪的制造工藝步驟。隨著(zhù)特征尺寸的縮小,每次更新的工藝會(huì )對變量更加敏感。在測試時(shí)還必須考慮之前的開(kāi)發(fā)中可能忽略的特征和寄生現象,這進(jìn)一步提高了測試的復雜性和數據量。在最終確定整個(gè)工藝流程之前要不斷循環(huán)重復這一過(guò)程,由此帶來(lái)的時(shí)間和成本會(huì )不斷攀升,因此要將這樣的方法用于最先進(jìn)的技術(shù)節點(diǎn)幾乎是不現實(shí)的。

使用虛擬晶圓進(jìn)行測試

如今我們可以用虛擬制造來(lái)代替這種耗時(shí)且成本高昂的傳統方法。虛擬制造是指用計算機模擬制造真實(shí)晶圓的工藝過(guò)程(如圖1所示)。半導體工藝工程師可以用虛擬模型來(lái)測試制造設備的各種不同配置,其中的變量遠超真實(shí)場(chǎng)景下的測試。通過(guò)模擬整個(gè)工藝流程,設計人員可以在幾天(而非幾個(gè)月)內完成數千個(gè)晶圓的虛擬制造。以圖形動(dòng)畫(huà)展現的可視化工藝流程可以幫助他們快速了解情況、調整工藝配方和器件集成方案,并評估各項調整對電性能的影響。


圖1. 虛擬制造中半導體工藝步驟的圖形動(dòng)畫(huà)

利用虛擬晶圓制造的統計數據來(lái)提高良率

基于大量數據的統計分析能夠讓開(kāi)發(fā)人員對選定的工藝設置更有信心。虛擬制造的建模能納入真實(shí)條件下無(wú)法模擬的缺陷和隨機變化,讓開(kāi)發(fā)人員能夠測試器件架構對工藝流程中各種不可預測因素的靈敏度。

優(yōu)化新存儲器或邏輯制造流程的工藝設置方式有數種,其中最簡(jiǎn)單的就是選擇一個(gè)變量并研究其影響。以關(guān)鍵尺寸 (CD) 為例,它是指能保證達到所需電性能的器件特征尺寸。開(kāi)發(fā)人員可以先設定一個(gè)從低到高的特定尺寸范圍,然后測試該范圍內不同尺寸數值對器件性能(例如閾值電壓)的影響,他們還可以用這些建模來(lái)測試交叉工序之間的相互作用。

然而,上述方法并不足以研究各工藝步驟以及最終結構之間錯綜復雜的相互作用。我們要用的第二種方法是蒙特卡洛分析,即隨機改變各種工藝和器件參數,并計算得出最終器件的幾何形狀和性能(如圖2所示),這些數據可以自動(dòng)定義所需的工藝和設計參數以滿(mǎn)足特定良率和性能的要求?梢哉f(shuō)這是虛擬技術(shù)最主要的用武之地,非常適用于測試眾多不同工藝之間的相互作用。


圖2. 基于虛擬制造的統計實(shí)驗

用于虛擬制造的SEMulator3D

SEMulator3D是泛林集團旗下Coventor公司開(kāi)發(fā)的虛擬制造平臺,可用于定義所有工藝步驟以及器件建模、指標數據收集、電性與器件分析、結果統計分析和基于圖形動(dòng)畫(huà)的工藝流程可視化。如今很多半導體公司都在使用該平臺來(lái)優(yōu)化和擴展先進(jìn)的工藝節點(diǎn),開(kāi)發(fā)像GAA(全包圍柵極)晶體管(如圖3所示)這樣先進(jìn)的新技術(shù)。


圖3. 通過(guò)SEMulator3D展現的全包圍柵極晶體管

這樣的虛擬制造技術(shù)代表了半導體工藝開(kāi)發(fā)的未來(lái),能讓新的工藝提前數月問(wèn)世,并為領(lǐng)先的半導體公司帶來(lái)高達數億美元的市場(chǎng)機會(huì )。

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