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在嵌入式系統中，Flash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執行某些功能的數據。它們可以通過(guò)多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設備接口）來(lái)連接存儲設備。在單片機中也集成了多種不同類(lèi)型的SPI存儲設備，包括Flash和EEPROM。 一、Flash和EEPROM之間的差異 Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著(zhù)該設備能夠保存數據且無(wú)需持續供電，即使關(guān)閉電源也能保存數據信息。它們都是電子可寫(xiě)和可擦除存儲器，用以存儲單片機的應用程序及數據信息。這些數據可在芯片上或芯片外存儲信息。 盡管Flash和EEPROM設備都可以存儲嵌入式設備中使用的信息，但是它們的體系結構和用于讀取，寫(xiě)入和擦除數據的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節級別讀取，寫(xiě)入和擦除數據。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結構上以塊的形式排列，在塊中擦除數據，并且可以在字節級別讀取或寫(xiě)入數據。 二、使用閃存與EEPROM有什么優(yōu)缺點(diǎn)？ 使用閃存或EEPROM設備有很多優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)： 由于EEPROM以字節為單位運行其擦除功能，因此這增加了清除和編輯設備所花費的時(shí)間，但允許開(kāi)發(fā)人員在需要時(shí)編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數據，從而大大提高了擦除速度，并使設備可以更緊湊地存儲信息。但是由于這個(gè)原因，它也失去了編輯某些字節的能力，從而迫使開(kāi)發(fā)人員在進(jìn)行任何更改時(shí)都重寫(xiě)整個(gè)數據塊。 在存儲設備上執行多個(gè)擦除和寫(xiě)入周期將導致其最終隨著(zhù)時(shí)間的推移而降級。使用EEPROM的優(yōu)點(diǎn)之一是使用壽命更長(cháng)。EEPROM在其生命周期內最多可以執行1000000個(gè)擦除/重寫(xiě)周期。根據閃存的類(lèi)型，閃存的使用壽命會(huì )縮短，大多數閃存產(chǎn)品在磨損開(kāi)始惡化存儲完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫(xiě)入循環(huán)。就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸，并且實(shí)現成本更低。 |
| Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著(zhù)該設備能夠保存數據且無(wú)需持續供電，即使關(guān)閉電源也能保存數據信息。它們都是電子可寫(xiě)和可擦除存儲器，用以存儲單片機的應用程序及數據信息。這些數據可在芯片上或芯片外存儲信息。 |
| 盡管Flash和EEPROM設備都可以存儲嵌入式設備中使用的信息，但是它們的體系結構和用于讀取，寫(xiě)入和擦除數據的操作略有不同。 |
| EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節級別讀取，寫(xiě)入和擦除數據。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結構上以塊的形式排列，在塊中擦除數據，并且可以在字節級別讀取或寫(xiě)入數據。 |
