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存儲設備（主要指存儲數據的半導體產(chǎn)品）通常分為兩種類(lèi)型。一種是“易失性存儲器”——數據在斷電時(shí)消失，如DRAM。另一種類(lèi)型則是“非易失性存儲器”——數據在斷電時(shí)不會(huì )消失，這意味著(zhù)數據一旦被寫(xiě)入，只要不進(jìn)行擦除或重寫(xiě)，數據就不會(huì )改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 經(jīng)過(guò)市場(chǎng)的長(cháng)期廣泛驗證以及技術(shù)的不斷突破，富士通FRAM產(chǎn)品已成功應用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設備等工業(yè)領(lǐng)域，醫療設備及醫療RFID標簽等醫療領(lǐng)域、胎壓監測及新能源汽車(chē)電池管理系統等汽車(chē)領(lǐng)域等等，涉及的應用超過(guò)200種，幾乎覆蓋所有主要領(lǐng)域！ 當前的富士通FRAM主要具備三大優(yōu)勢：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數同類(lèi)型存儲器無(wú)法比擬的。比如FRAM寫(xiě)入次數壽命高達10萬(wàn)億次，而EEPROM僅有百萬(wàn)次(10^6)。富士通FRAM寫(xiě)入數據可在150ns內完成，速度約為EEPROM的1/30,000。寫(xiě)入一個(gè)字節數據的功耗僅為150nJ，約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有巨大的優(yōu)勢。 相比EEPROM或SRAM FRAM方案可以輕松解決以下問(wèn)題： 1）需要更頻繁地記錄數據，但受限于內存規格 2）在寫(xiě)入數據時(shí)需要保護數據，以防止突然停電 3）需要采用無(wú)電池解決方案 |
