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MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業(yè)應用�；贛RAM的設備可以為“黑匣子”應用提供解決方案，因為它以SRAM的速度寫(xiě)入數據，同時(shí)在發(fā)生總功耗之前保留數據。Everspin串行mram是必須使用最少數量的引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用的理想存儲器。 Everspin型號MR25H256CDF是一種串行MRAM，其存儲器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口(SPI)總線(xiàn)。串行MRAM實(shí)現了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線(xiàn)上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫(xiě)入速度、無(wú)限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的數據保留。 MR25H256CDF特征 •無(wú)寫(xiě)入延遲 •無(wú)限寫(xiě)入耐久性 •數據保留超過(guò)20年 •斷電時(shí)自動(dòng)數據保護 •塊寫(xiě)保護 •快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達40兆赫茲 •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)和汽車(chē)1級和3級溫度 •提供8-DFN Small Flag RoHS兼容封裝。 •直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM •工業(yè)級和AEC-Q1001級和3級選項 •濕度敏感度MSL-3 Everspin是專(zhuān)業(yè)設計和制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場(chǎng)和應用領(lǐng)域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在數據中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車(chē)和運輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為MRAM用戶(hù)奠定了強大的基礎。Everspin一級代理英尚微電子可為用戶(hù)提供驅動(dòng)和例程等技術(shù)方面支持。 更多詳情點(diǎn)擊該鏈接：https://www.sramsun.com/list-180-1.html MR25H256CDF規格書(shū)下載 
MR25H256-MR25H256A.pdf
(1.64 MB)
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