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Cypress憑借在分立存儲器半導體領(lǐng)域近40年的經(jīng)驗，以同類(lèi)最佳的存儲器產(chǎn)品、解決方案和技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)。于1982年推出第一款隨機存取存儲器，并從這個(gè)吉祥的開(kāi)端發(fā)展為涵蓋NOR閃存、pSRAM、SRAM、nvSRAM和FRAM的廣泛產(chǎn)品，其密度范圍從4Kbit到4Gbit。賽普拉斯易失性和非易失性存儲器產(chǎn)品組合具有以下特性：超低功耗、高性能、可靠的FRAM產(chǎn)品。Cypress代理可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 功能概述 FM25V01A-G是一個(gè)采用高級鐵電工藝的128Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執行讀和寫(xiě)操作。它提供151年的可靠數據保留時(shí)間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性的問(wèn)題。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25V01A-G以總線(xiàn)速度執行寫(xiě)操作。并且它不會(huì )引起任何寫(xiě)操作延遲。每個(gè)字節成功傳輸到器件后，數據立即被寫(xiě)入到存儲器陣列內。這時(shí)可以開(kāi)始執行下一個(gè)總線(xiàn)周期而不需要輪詢(xún)數據。與其他非易失性存儲器相比的是該產(chǎn)品提供了更多的擦寫(xiě)次數。FM25V01A-G能夠支持1014次讀/寫(xiě)周期，或支持比EEPROM多1億次的寫(xiě)周期。 由于具有這些特性，因此FM25V01A-G適用于需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲器應用。應用的范圍包括從數據采集（其中寫(xiě)周期數量是非常重要的）到苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的較長(cháng)寫(xiě)時(shí)間會(huì )使數據丟失）。 作為硬件替代時(shí)，FM25V01A-G為串行EEPROM或閃存的用戶(hù)提供大量便利。FM25V01A-G使用高速的SPI總線(xiàn)，從而可以改進(jìn)FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入功能。該器件包含一個(gè)只讀的器件ID，通過(guò)該ID，主機可以確定制造商、產(chǎn)品容量和產(chǎn)品版本。在–40℃到+85℃的工業(yè)級溫度范圍內，該器件規范得到保證。 特性 ■128Kbit鐵電性隨機存儲器（FRAM）被邏輯組織為16K×8 ❐高耐久性：100萬(wàn)億（1014）次的讀/寫(xiě)操作 ❐151年的數據保留時(shí)間（請參考數據保留時(shí)間與耐久性表） ❐NoDelay™寫(xiě)操作 ❐高級高可靠性的鐵電工藝 ■非�？斓拇型庠O接口（SPI） ❐工作頻率可高達40MHz ❐串行閃存和EEPROM的硬件直接替代 ❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1） ■精密的寫(xiě)入保護方案 ❐使用寫(xiě)保護（WP）引腳提供硬件保護 ❐使用寫(xiě)禁用指令提供軟件保護 ❐可為1/4、1/2或整個(gè)陣列提供軟件模塊保護 ■器件ID ❐制造商ID和產(chǎn)品ID ■低功耗 ❐當頻率為40MHz時(shí)，有效電流為2.5mA ❐待機電流為150mA ❐睡眠模式電流為8mA ■工作電壓較低：VDD=2.0V到3.6V ■工業(yè)溫度范圍：–40℃到+85℃ ■8引腳小型塑封集成電路（SOIC）封裝 ■符合有害性物質(zhì)限制（RoHS） 引腳分布 FM25V01A-G是一個(gè)串行FRAM存儲器。存儲器陣列被邏輯組織為16,384×8位，使用工業(yè)標準的串行外設接口（SPI）總線(xiàn)可以訪(fǎng)問(wèn)它。FRAM和串行閃存以及串行EEPROM的功能操作是相同的。FM25V01A-G與串行閃存或具有相同引腳分布的EEPROM的主要區別在于FRAM具有更好的寫(xiě)性能、高耐久性和低功耗。 存儲器架構 當訪(fǎng)問(wèn)FM25V01A-G時(shí)，用戶(hù)尋址16K地址的每8個(gè)數據位。這些8位數據被連續移入或移出。通過(guò)使用SPI協(xié)議可以訪(fǎng)問(wèn)這些地址，該協(xié)議包含一個(gè)芯片選擇（用于支持總線(xiàn)上的多個(gè)器件）、一個(gè)操作碼和一個(gè)兩字節地址。該地址范圍的高2位都是‘無(wú)需關(guān)注’的值。14位的完整地址獨立指定每個(gè)字節的地址。 FM25V01A-G的大多數功能可以由SPI接口控制，或者通過(guò)板上電路自動(dòng)處理。存儲器的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間幾乎為零，該時(shí)間小于串行協(xié)議所需要的時(shí)間。因此該存儲器以SPI總線(xiàn)的速度進(jìn)行讀/寫(xiě)操作。與串行閃存或EEPROM不同的是，不需要輪詢(xún)器件的就緒條件，這是因為寫(xiě)操作是以總線(xiàn)速度進(jìn)行的。新的總線(xiàn)數據操作移入器件前需要完成寫(xiě)操作。 賽普拉斯鐵電RAM(FRAM)存儲器，通過(guò)將超低功耗操作與高速接口、即時(shí)非易失性和無(wú)限讀/寫(xiě)相結合，提供業(yè)界功耗最低的關(guān)鍵任務(wù)非易失性存儲器循環(huán)耐力。這使得FRAM成為便攜式醫療、可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)傳感器、工業(yè)和汽車(chē)應用的理想數據記錄存儲器。 |
