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FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8,192×8位，可使用行業(yè)標準的串行外圍設備接口（SPI）總線(xiàn)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。FRAM的功能操作類(lèi)似于串行閃存和串行EEPROM。FM25CL64B-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優(yōu)越寫(xiě)入性能，高耐用性和低功耗。 FM25CL64B-GTR是采用高級鐵電工藝的64Kb非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類(lèi)似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性問(wèn)題。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25CL64B-GTR以總線(xiàn)速度執行寫(xiě)操作。沒(méi)有寫(xiě)入延遲。每個(gè)字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫(xiě)入存儲器陣列。下一個(gè)總線(xiàn)周期可以開(kāi)始而無(wú)需數據輪詢(xún)。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著(zhù)的寫(xiě)入耐久性。FM25CL64B-GTR鐵電存儲器能夠支持1014個(gè)讀/寫(xiě)周期，或比EEPROM多1億倍的寫(xiě)周期。 這些功能使FM25CL64B-GTR非常適合需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲器應用。例子包括數據收集（可能是關(guān)鍵的寫(xiě)周期數）到要求苛刻的工業(yè)控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長(cháng)寫(xiě)入時(shí)間會(huì )導致數據丟失。 FM25CL64B-GTR為串行EEPROM或閃存的用戶(hù)提供了實(shí)質(zhì)性的好處，可以作為硬件的替代產(chǎn)品。FM25CL64B-GTR使用高速SPI總線(xiàn)，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入能力。在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內保證器件的規格。 耐力 FM25CL64B-GTR器件至少可以被訪(fǎng)問(wèn)1014次，可以進(jìn)行讀取或寫(xiě)入。FRAM存儲器具有讀取和還原機制。因此，對于存儲陣列的每次訪(fǎng)問(wèn)（讀取或寫(xiě)入），將按行施加耐久周期。FRAM體系結構基于1K行（每個(gè)64位）的行和列的陣列。一次讀取或寫(xiě)入單個(gè)字節還是全部八個(gè)字節都將在內部訪(fǎng)問(wèn)整行。在耐久性計算中，該行中的每個(gè)字節僅被計數一次。一個(gè)64字節重復循環(huán)的耐久性計算，該循環(huán)包括一個(gè)操作碼，一個(gè)起始地址和一個(gè)順序的64字節數據流。這導致每個(gè)字節在循環(huán)中經(jīng)歷一個(gè)耐力周期 |
