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富士通是一家通過(guò)不斷創(chuàng )新全球化信息通信技術(shù)的公司。眾多的標志性成果和產(chǎn)品里程碑將富士通塑造成為現在這樣一家在ICT領(lǐng)域領(lǐng)先的公司。富士通為廣大用戶(hù)開(kāi)發(fā)了眾多的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。還開(kāi)發(fā)出業(yè)界中具有超小型封裝尺寸的1Mbit 串行FRAM——MB85RS1MT，MB85RS1MT是131,072字x 8位FRAM（鐵電隨機存取存儲器），使用鐵電工藝形成非易失性存儲單元，并采用硅柵CMOS工藝，采用串行外圍設備接口（SPI）�？梢员Ａ魯祿�，而無(wú)需使用數據備份電池，例如SRAM。使用的存儲單元可以執行1013次寫(xiě)/讀操作，大大超過(guò)了閃存或E2PROM可以重寫(xiě)的次數。不需要像閃存和E2PROM這樣的長(cháng)寫(xiě)入時(shí)間，并且寫(xiě)入等待時(shí)間為零。 因此，無(wú)需等待寫(xiě)入完成序列。 MB85RS1MT是一款有8引腳晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP）的產(chǎn)品，與傳統業(yè)界標準SOP封裝相比，此款WL-CSP大約為SOP的23%，能夠減少約77%的安裝面積。而且本W(wǎng)L-CSP的厚度為0.33mm，約是信用卡的一半，從安裝體積比來(lái)看，能夠減少大約95%的體積。 是富士通半導體提供的最大密度容量的串口FRAM。 另外與同為非易失性存儲器的通用EEPROM相比，MB85RS1MT的寫(xiě)入時(shí)間較短，從而能夠大幅降低寫(xiě)入時(shí)的功耗。 寫(xiě)入時(shí)的功耗對比 因此將該FRAM引入需要頻繁實(shí)時(shí)記錄原始數據的可穿戴設備，將有利于延長(cháng)電池的使用壽命或實(shí)現電池的小型化。 |
