富士通FRAM技術(shù)和工作原理

英尚微電子

存儲設備（主要指存儲數據的半導體產(chǎn)品）通常分為兩種類(lèi)型。一種是“易失性存儲器”——數據在斷電時(shí)消失，如DRAM。另一種類(lèi)型則是“非易失性存儲器”——數據在斷電時(shí)不會(huì )消失，這意味著(zhù)數據一旦被寫(xiě)入，只要不進(jìn)行擦除或重寫(xiě)，數據就不會(huì )改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。

富士通FRAM技術(shù)和工作原理

FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來(lái)進(jìn)行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。

•當一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心離子順著(zhù)電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)，當離子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置記憶體。

•移去電場(chǎng)后中心離子保持不動(dòng)，記憶體的狀態(tài)也得以保存。

•材料本身的遲滯特性的兩個(gè)穩定點(diǎn)代表0或1的極化值。

FRAM的特點(diǎn)

獨特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM是存儲界的實(shí)力派。除非易失性以外，FRAM還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數同類(lèi)型存儲器無(wú)法比擬的。

其中FRAM寫(xiě)入次數壽命高達10萬(wàn)億次、而EEPROM僅有百萬(wàn)次(10^6)。同時(shí)，FRAM寫(xiě)入數據可在150ns內完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫(xiě)入一個(gè)字節數據的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢。

富士通FRAM憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領(lǐng)域開(kāi)始風(fēng)生水起，在各種應用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶(hù)提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

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學(xué)習了

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獨特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM是存儲界的實(shí)力派。除非易失性以外，FRAM還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數同類(lèi)型存儲器無(wú)法比擬的。

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FRAM寫(xiě)入次數壽命高達10萬(wàn)億次、而EEPROM僅有百萬(wàn)次(10^6)。同時(shí)，FRAM寫(xiě)入數據可在150ns內完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫(xiě)入一個(gè)字節數據的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢。