Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管,提升開(kāi)關(guān)電源設計能效和可靠性

發(fā)布時(shí)間:2023-5-23 19:31    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 碳化硅 , SiC , 肖特基二極管
器件采用MPS結構設計,額定電流4 A~ 40 A,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

Vishay推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)結構設計,具有高浪涌電流保護能力,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低,有助于提升開(kāi)關(guān)電源設計能效和可靠性。



日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件,采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由于采用MPS結構,器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V,正向壓降與電容電荷乘積,即電源能效重要優(yōu)值系數(FOM),相比上一代解決方案降低17%。

與接近的競品解決方案相比,二極管室溫下典型反向漏電流低30%,高溫下低70%。因此降低了導通損耗,確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同,第三代器件幾乎沒(méi)有恢復拖尾,從而能夠進(jìn)一步提升效率。

與擊穿電壓相當的硅二極管相比,SiC二極管熱導率高,反向電流低,反向恢復時(shí)間短。二極管反向恢復時(shí)間幾乎不受溫度變化的影響,可在+175 C高溫下工作,不會(huì )因開(kāi)關(guān)損耗造成能效變化。

器件典型應用包括發(fā)電和勘探應用領(lǐng)域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正(PFC)和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性,符合RoHS標準,無(wú)鹵素,通過(guò)2000小時(shí)高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試,測試時(shí)間和循環(huán)次數是AEC-Q101規定的兩倍。


  
產(chǎn)品編號
  
IF(AV)  (A)
IFSM  (A)
IF  VF (V)
QC  (nC)
配置
封裝
4
29
1.5
12
D2PAK  2L
6
42
1.5
17
D2PAK  2L
8
54
1.5
22
D2PAK  2L
10
60
1.46
29
D2PAK  2L
12
83
1.5
34
D2PAK  2L
16
104
1.5
44
D2PAK  2L
20
110
1.5
53
D2PAK  2L
4
29
1.5
12
TO-220AC 2L
6
42
1.5
17
TO-220AC 2L
8
54
1.5
22
TO-220AC 2L
10
60
1.46
29
TO-220AC 2L
12
83
1.5
34
TO-220AC 2L
16
104
1.5
44
TO-220AC 2L
20
110
1.5
53
TO-220AC 2L
2 x 8
54
1.5
22
共陰極
TO-247AD 3L
2 x 10
60
1.46
29
共陰極
TO-247AD 3L
2 x 20
110
1.5
53
共陰極
TO-247AD 3L


新型SiC二極管現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn),供貨周期為八周。

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Eways-SiC 發(fā)表于 2023-5-24 15:58:59
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產(chǎn)https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr
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