器件采用MPS結構設計,額定電流4 A~ 40 A,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)結構設計,具有高浪涌電流保護能力,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低,有助于提升開(kāi)關(guān)電源設計能效和可靠性。 ![]() 日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件,采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由于采用MPS結構,器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V,正向壓降與電容電荷乘積,即電源能效重要優(yōu)值系數(FOM),相比上一代解決方案降低17%。 與接近的競品解決方案相比,二極管室溫下典型反向漏電流低30%,高溫下低70%。因此降低了導通損耗,確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同,第三代器件幾乎沒(méi)有恢復拖尾,從而能夠進(jìn)一步提升效率。 與擊穿電壓相當的硅二極管相比,SiC二極管熱導率高,反向電流低,反向恢復時(shí)間短。二極管反向恢復時(shí)間幾乎不受溫度變化的影響,可在+175 C高溫下工作,不會(huì )因開(kāi)關(guān)損耗造成能效變化。 器件典型應用包括發(fā)電和勘探應用領(lǐng)域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正(PFC)和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性,符合RoHS標準,無(wú)鹵素,通過(guò)2000小時(shí)高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試,測試時(shí)間和循環(huán)次數是AEC-Q101規定的兩倍。
新型SiC二極管現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn),供貨周期為八周。 |
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產(chǎn)https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr |