來(lái)源:IT之家 ASML 首席執行官 Peter Wennink 近日在接受路透社采訪(fǎng)時(shí)表示,盡管供應商出現了一些阻礙,但公司仍會(huì )按照此前設定的計劃,在今年年底之前交付 High NA EUV 機器。 ![]() ASML 表示一臺高數值孔徑 EUV 光刻(High-NA EUV)設備的體積和卡車(chē)相當,每臺設備的售價(jià)超過(guò) 3 億美元(IT之家備注:當前約 21.9 億元人民幣),可以滿(mǎn)足一線(xiàn)芯片制造商的需求,可以在未來(lái)十年內制造更小、更好的芯片。 Wennink 表示部分供應商無(wú)法提高組件的數量和質(zhì)量,因此導致了輕微的延誤,但整體而言這些困難都可以控制,承諾會(huì )在今年年底之前交付首臺機器。 IT之家此前報道,對于后 3nm 時(shí)代,ASML 及其合作伙伴正在開(kāi)發(fā)一種全新的 EUV 光刻機 ——Twinscan EXE:5000 系列,該系列機器將具有 0.55 NA(高 NA)的透鏡,分辨率達 8nm,從而在 3 nm 及以上節點(diǎn)中盡可能地避免雙重或是多重曝光。 |