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美光將業(yè)界領(lǐng)先的1β技術(shù)拓展至服務(wù)器及PC應用，性能提升50% Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布，已將業(yè)界領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)應用于16Gb容量版本的 DDR5內存。美光1β DDR5 DRAM在系統內的速率高達7,200 MT/s，現已面向數據中心及PC市場(chǎng)的所有客戶(hù)出貨�；�1β節點(diǎn)的美光DDR5內存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)[ ]，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達50%[ ]，每瓦性能提升33%[ ]。 隨著(zhù)CPU內核數量的不斷增加以滿(mǎn)足數據中心工作負載需求，系統對更高的內存帶寬與容量的需求也顯著(zhù)增長(cháng)，從而在應對“內存墻”挑戰的同時(shí)優(yōu)化客戶(hù)的總體擁有成本。美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴展，能支持數據中心和客戶(hù)端平臺上的人工智能（AI）訓練和推理、生成式AI、數據分析和內存數據庫（IMDB）等應用。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品線(xiàn)提供速率從4,800 MT/s到7,200 MT/s的現有模塊密度，能夠滿(mǎn)足數據中心和客戶(hù)端的應用需求。 美光核心計算設計工程部門(mén)企業(yè)副總裁Brian Callaway表示：“面向客戶(hù)端和數據中心平臺的1β DDR5 DRAM量產(chǎn)及出貨，標志著(zhù)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。我們與生態(tài)系統合作伙伴及客戶(hù)緊密合作，將推動(dòng)高性能內存產(chǎn)品的市場(chǎng)普及�！� 美光的1β技術(shù)已應用至公司廣泛的內存解決方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5內存將通過(guò)直銷(xiāo)及渠道合作伙伴供貨。 |
