顯存技術(shù)重大突破,消息稱(chēng) SK 海力士明年將推 2.5D fan-out 封裝方案

發(fā)布時(shí)間:2023-11-28 15:29    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 顯存 , SK海力士 , 2.5D , fan-out , 封裝
來(lái)源:IT之家

根據韓媒 Business Korea 報道,SK 海力士計劃明年發(fā)布“2.5D fan-out”集成存儲芯片封裝方案,實(shí)現兩個(gè)芯片之間的端到端連接。



這種封裝方案是將兩個(gè) DRAM 芯片水平并排放置,然后將它們組合成一個(gè)芯片。這種方案的優(yōu)勢是由于芯片下方?jīng)]有添加基板,可以讓成品微電路更薄。

IT之家援引該韓媒報道,臺積電自 2016 年以來(lái)一直使用類(lèi)似的安排來(lái)集成不同的芯片,并應用于蘋(píng)果的處理器生產(chǎn)中,不過(guò)存儲廠(chǎng)商此前并未關(guān)注過(guò)這項技術(shù)。

HBM 型存儲芯片的垂直集成固然可以顯著(zhù)增加接口帶寬,但成本高昂,而 SK 海力士研發(fā)的“2.5D fan-out”,能有效降低生產(chǎn) DRAM 芯片成本,預估會(huì )在游戲顯卡的 GDDR 顯存中使用。
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