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來(lái)源：EXPreview 為應對用于人工智能（AI）的半導體需求的大幅度增長(cháng)，SK海力士與臺積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)密切合作，開(kāi)發(fā)第六代HBM產(chǎn)品，也就是HBM4。隨后SK海力士HBM先進(jìn)技術(shù)團隊負責人確認，將加快HBM代際更迭周期，從HBM3E開(kāi)始，由以往的兩年變成了一年，HBM4E最早會(huì )在2026年出現。 據Wccftech報道，為了將HBM4E的性能提升到一個(gè)新的水平，SK海力士計劃推出一種能夠實(shí)現計算、緩存和網(wǎng)絡(luò )內存等多種功能的HBM類(lèi)型�，F階段這只是一個(gè)概念，為了實(shí)現這一目標，SK海力士已開(kāi)始著(zhù)手半導體設計工作，比如打算將存儲控制器安裝在HBM結構的基礎芯片上。 SK海力士希望通過(guò)新計劃，為多用途HBM解決方案奠定基礎。雖然暫時(shí)無(wú)法判斷這種偏離業(yè)界傳統的做法會(huì )對高性能計算市場(chǎng)產(chǎn)生多大影響，但是性能提升基本是可以確定的。這與HBM技術(shù)的封裝結構有很大關(guān)系，由于采用單一的單元，不僅可以確保更快的信號傳輸速度，而且結構間隙將大大減少，從而提升功率效率。 現在的HBM市場(chǎng)比以往任何時(shí)候都要激烈，SK海力士面臨著(zhù)更大的競爭壓力。與臺積電的結盟大大增強了SK海力士在HBM產(chǎn)品上的開(kāi)發(fā)實(shí)力，最大限度地確保領(lǐng)先于三星和美光等競爭對手，并推動(dòng)著(zhù)HBM產(chǎn)業(yè)的持續創(chuàng )新。 |
