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來(lái)源：EXPreview 在進(jìn)入人工智能（AI）時(shí)代后，兩大存儲器生產(chǎn)廠(chǎng)商三星和SK海力士的競爭不斷升級。雙方都在努力通過(guò)加快新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)，以搶奪市場(chǎng)先機，爭奪下一代人工智能半導體市場(chǎng)的主導權。隨著(zhù)英特爾的加入，全球半導體戰線(xiàn)正在擴大。 據Business Korea報道，近期三星和SK海力士都公布了下一代半導體計劃，問(wèn)題的關(guān)鍵是：誰(shuí)能首先將新產(chǎn)品推向市場(chǎng)？要知道SK海力士因為在HBM3上搶得先手，去年幾乎壟斷了英偉達HBM3訂單，在存儲器市場(chǎng)低迷時(shí)期以最快的速度扭轉了頹勢。 今年1月，SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，也就是8層堆疊的HBM3E，使其在競爭中處于優(yōu)勢位置。三星則計劃今年上半年，帶來(lái)8層堆疊的HBM3E。不過(guò)三星在12層堆疊的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布開(kāi)發(fā)成功，暫時(shí)處于領(lǐng)先位置，并計劃今年晚些時(shí)候量產(chǎn)，并開(kāi)始向英偉達供貨。反觀(guān)SK海力士，目前其12層堆疊的HBM3E剛剛向英偉達交付樣品，比起三星稍微落后了一些。 至于第六代HBM產(chǎn)品，即HBM4，三星和SK海力士的競爭就更激烈了。三星的HBM4計劃明年亮相，2026年開(kāi)始進(jìn)入批量生產(chǎn)，將提供8/12/16層堆疊的產(chǎn)品。SK海力士同樣計劃在2026年實(shí)現HBM4的批量生產(chǎn)，為此還與臺積電（TSMC）展開(kāi)合作，利用全球第一晶圓代工廠(chǎng)的先進(jìn)技術(shù)。當然，三星也有自己的優(yōu)勢，是唯一擁有完整生產(chǎn)、代工、封裝流程的半導體企業(yè)，具備為客戶(hù)提供可定制化HBM解決方案的能力。 三星和SK海力士的競爭還擴展到了DRAM領(lǐng)域，前者近期推出了速率為10.7 Gbps的LPDDR5X，超過(guò)了SK海力士去年速率為9.6 Gbps的LPDDR5T。三星還計劃今年底量產(chǎn)第六代10nm級別的DRAM，明年生產(chǎn)第七代10nm級別的DRAM。SK海力士則計劃在今年第三季度量產(chǎn)第六代10nm級別的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士憑借更先進(jìn)的工藝，以及更早取得英特爾新平臺的驗證，通過(guò)新款DDR5內存獲得不少收益。 此外，隨著(zhù)人工智能應用的擴大，在存儲器上加入計算功能也是未來(lái)的發(fā)展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示過(guò)相關(guān)的產(chǎn)品。 |
