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來(lái)源：EXPreview 近日，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會(huì )正式發(fā)布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標準，可提供兩倍于GDDR6的帶寬，達到了192 GB/s，以滿(mǎn)足未來(lái)圖形、游戲、計算、網(wǎng)絡(luò )和人工智能應用對高內存帶寬不斷增長(cháng)的需求。 JES239 GDDR7是首款使用脈沖幅度調制(PAM)接口進(jìn)行高頻操作的JEDEC標準DRAM。其PAM3接口增加了在高頻時(shí)的信噪比(SNR)，同時(shí)提升了能效，通過(guò)使用3個(gè)電平(+ 1,0,-1)在2個(gè)周期內傳輸3個(gè)bit，相比傳統的NRZ(不歸零)接口要更強。在PAM3得加持下，可提供了更高的每個(gè)周期的數據傳輸速率，顯著(zhù)提高顯存的性能。 此外，JES239 GDDR7還擁有以下高級功能特性： · 具備支持眼圖掩蔽和誤差計數器的核心獨立LFSR(線(xiàn)性反饋移位寄存器)訓練模式，可提高訓練準確性，同時(shí)減少訓練時(shí)間。 · 獨立通道數量翻倍，從GDDR6的2個(gè)增加至4個(gè)。 · 支持16 Gbit至32 Gbit的存儲容量以及雙通道模式，可使系統容量翻倍。 · 通過(guò)整合最新的數據完整性功能來(lái)滿(mǎn)足市場(chǎng)對RAS(可靠性，可用性，可服務(wù)性)的需求，包括帶實(shí)時(shí)報告的芯片上ECC (ODECC)、數據中毒、錯誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(CAPARBLK)。 JEDEC董事會(huì )主席Mian Quddus表示:“JESD239 GDDR7標志著(zhù)高速存儲器設計的重大進(jìn)步。隨著(zhù)向PAM3信號的轉變，存儲器行業(yè)有了一條擴展GDDR設備性能的新途徑，有效推動(dòng)圖形和各種高性能應用的持續發(fā)展�！� 包括美光、三星、海力士在內的多家存儲廠(chǎng)商都對JEDEC發(fā)布的JES239 GDDR7標準表示支持，并積極推動(dòng)GDDR7顯存的發(fā)展計劃。其中，早在去年7月，三星就宣布已完成了業(yè)界首款GDDR7芯片的開(kāi)發(fā)工作，每個(gè)數據I/O接口的速率達到了32Gbps，并承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會(huì )有20%的提升。首款16Gb GDDR7芯片在位寬為384位的情況下，提供了高達1.536 TB/s的帶寬，遠遠超過(guò)了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。 |
