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來(lái)源：IT之家 意法半導體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出 18nm FD-SOI 工藝。該工藝支持嵌入式相變存儲器（ePCM）。 IT之家注：FD-SOI 即全耗盡型絕緣體上硅，是一種平面半導體工藝技術(shù)，可以較簡(jiǎn)單的制造步驟實(shí)現優(yōu)秀的漏電流控制。 
意法半導體表示，相較于其現在使用的 40nm eNVM 技術(shù)，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工藝大幅提升了性能參數：其在能效上提升了 50%，數字密度上提升了 3 倍，同時(shí)可容納更大的片上存儲器，擁有更低的噪聲系數。 該工藝能夠在 3V 電壓下提供多種模擬功能，包括電源管理、復位系統等，是 20nm 以下制程中唯一支持這些功能的技術(shù)。 同時(shí)，新的 18nm FD-SOI 工藝在抗高溫、抗輻射等方面也有出色表現，可用于要求苛刻的工業(yè)應用。 意法半導體首款基于該制程的 STM32 MCU 將于下半年開(kāi)始向選定的客戶(hù)出樣，并計劃于 2025 年下半年量產(chǎn)。 |
