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來(lái)源：全球半導體觀(guān)察 自半導體行業(yè)復蘇信號釋出后，業(yè)界布局不斷，其中不乏出現聯(lián)電、英特爾、Soitec、神盾集團等企業(yè)身影，涉及晶圓代工、第三代半導體、芯片設計、半導體材料等領(lǐng)域。針對半導體行業(yè)頻繁動(dòng)態(tài)，業(yè)界認為，這是一個(gè)積極的現象，有利于行業(yè)發(fā)展。近期，半導體企業(yè)合作傳來(lái)新的進(jìn)展。 晶圓代工：聯(lián)電x英特爾曝進(jìn)展，12nm預計2026年“收官” 5月30日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電召開(kāi)年度股東會(huì )，共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰表示，與英特爾合作開(kāi)發(fā)12nm制程平臺將是聯(lián)電未來(lái)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵點(diǎn)，預計2026年開(kāi)發(fā)完成，2027年進(jìn)入量產(chǎn)。 2024年1月，聯(lián)電與英特爾宣布雙方將合作開(kāi)發(fā)12nm FinFET制程平臺，以因應移動(dòng)、通訊基礎建設和網(wǎng)絡(luò )等市場(chǎng)的快速成長(cháng)。雙方認為，這項長(cháng)期合作結合英特爾位于美國的大規模制造產(chǎn)能，和聯(lián)電在成熟制程上豐富的晶圓代工經(jīng)驗，以擴充制程組合，同時(shí)提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協(xié)助全球客戶(hù)做出更好的采購決策。 對此，先前聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾經(jīng)表示，聯(lián)電與英特爾進(jìn)行在美國制造的12nm FinFET制程合作，是聯(lián)電追求具成本效益的產(chǎn)能擴張，和技術(shù)節點(diǎn)升級策略的重要一環(huán)，此舉并延續聯(lián)電對客戶(hù)的一貫承諾。這項合作將協(xié)助客戶(hù)順利升級到此關(guān)鍵技術(shù)節點(diǎn)，同時(shí)受惠于擴展位于北美市場(chǎng)產(chǎn)能帶來(lái)的供應鏈韌性。聯(lián)電期待與英特爾展開(kāi)策略合作，利用雙方的互補優(yōu)勢，以擴大潛在市場(chǎng)，同時(shí)大幅加快技術(shù)發(fā)展時(shí)程。 簡(jiǎn)山杰在本次股東會(huì )上指出，聯(lián)電正開(kāi)積極開(kāi)發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺相對于前一代的14nm FinFET制程技術(shù)平臺，除性能將大幅提升之外，芯片的尺寸也將變小，功耗能進(jìn)一步降低，可充分發(fā)揮FinFET在性能、功耗、以及閘密度所具備的優(yōu)勢、可廣泛用于各種半導體產(chǎn)品上。聯(lián)電預計，12nmFinFET制程技術(shù)平臺預計2026年開(kāi)發(fā)完成，2027年進(jìn)入量產(chǎn)。 除了制程研發(fā)，聯(lián)電也正在加速產(chǎn)能進(jìn)程，5月21日，聯(lián)電宣布新加坡Fab12i首批機臺設備進(jìn)廠(chǎng)。聯(lián)電表示，聯(lián)電新加坡投入12英寸晶圓制造廠(chǎng)營(yíng)運超過(guò)20年，新加坡Fab12i P3廠(chǎng)也是聯(lián)電先進(jìn)特殊制程研發(fā)中心。 此外，展望2024年第二季，聯(lián)電表示，隨著(zhù)電腦、消費及通訊領(lǐng)域的庫存狀況逐漸回到較為健康的水位，聯(lián)電預期整體晶圓出貨量將略為上升。在車(chē)用和工業(yè)領(lǐng)域方面，由于庫存消化速度低于預期，需求仍舊低迷。盡管短期間仍將受到總體經(jīng)濟環(huán)境的不確定性和成本壓力的影響，聯(lián)電仍將在技術(shù)、產(chǎn)能及人才方面持續投資，以確保我們能夠做好充分準備，迎接下一階段5G和AI創(chuàng )新所驅動(dòng)的成長(cháng)。 氮化鎵：佳恩半導體x西安電子科技大學(xué) 5月28日，青島佳恩半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“佳恩半導體”）與西安電子科技大學(xué)戰略合作簽約儀式在青島舉行。 資料顯示，青島佳恩半導體有限公司一直致力于高端半導體功率器件的設計、開(kāi)發(fā)、制造及銷(xiāo)售，作為新一代的功率半導體設計公司，佳恩掌握著(zhù)創(chuàng )新型功率半導體核心技術(shù)，擁有自主知識產(chǎn)權和自主品牌。 佳恩半導體表示，此次簽約儀式雙方就共同研究開(kāi)展GAN（氮化鎵）功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結構及參數，基于氮化鎵器件制造平臺開(kāi)展器件核心工藝實(shí)驗研究、工藝參數優(yōu)化及器件樣品研制，針對氮化鎵功率器件特點(diǎn)，開(kāi)展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關(guān)聯(lián)，開(kāi)展氮化鎵功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。 與傳統硅材料相比，基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率輸出密度和更高的能量轉換效率，并可以使系統小型化、輕量化，有效降低電力電子零部件體積和重量。當前，氮化鎵（GaN）應用市場(chǎng)逐步擴展，正向數據中心、可再生能源以及新能源汽車(chē)市場(chǎng)持續推進(jìn)，未來(lái)前景廣闊。 據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)研究指出，到2026年，全球GaN功率元件市場(chǎng)規模將從2022年的1.8億美金成長(cháng)至13.3億美金，復合增長(cháng)率高達65%。 集邦咨詢(xún)預計，至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)引入牽引逆變器。 碳化硅：X-Fab和Soitec將在美國得州展開(kāi)合作 近日，Soitec宣布，將與純晶圓代工廠(chǎng)X-Fab開(kāi)始合作，在X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠(chǎng)提供Soitec的SmartSiC技術(shù)用于生產(chǎn)碳化硅功率器件。 此次合作是在評估階段成功完成之后進(jìn)行的，在此期間，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec將通過(guò)聯(lián)合供應鏈寄售模式為X-Fab的客戶(hù)提供SmartSiC襯底的使用權。 據悉，Soitec正在其位于法國格勒諾布爾附近貝爾南的新工廠(chǎng)加大Smart SiC襯底的產(chǎn)量。而X-Fab正在拉伯克工廠(chǎng)提高SiC器件的生產(chǎn)能力。 碳化硅 (SiC) 是一種化合物半導體材料，具有固有特性，在功率應用中比硅具有卓越的性能和效率。隨著(zhù)新能源汽車(chē)、光儲充等市場(chǎng)需求推動(dòng)，SiC功率器件用量持續走高。據TrendForce集邦咨詢(xún)研究，2023年全球SiC Power Device市場(chǎng)規模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達25%。 半導體材料：南京大學(xué)x江蘇富樂(lè )德半導體 據東臺高新區消息，5月26日，“南京大學(xué)—江蘇富樂(lè )德半導體洗凈校企聯(lián)合研究中心”揭牌儀式在富樂(lè )德石英東臺工廠(chǎng)舉行。 該中心由江蘇富樂(lè )德石英科技有限公司和南京大學(xué)合作共建，雙方將圍繞“半導體非金屬零部件洗凈”領(lǐng)域，基于研究團隊在化學(xué)、材料等技術(shù)方向的研發(fā)積累，重點(diǎn)聚焦于半導體、太陽(yáng)能、光刻機相關(guān)產(chǎn)業(yè)方向展開(kāi)深入研究，致力于關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、科技成果轉化、高端人才匯聚、智慧應用方案落地。 資料顯示，江蘇富樂(lè )德石英科技有限公司于2018年落戶(hù)東臺高新區，主要從事磁性流體、熱電半導體致冷材料與器件、精密石英等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品廣泛應用于半導體芯片、大規模集成電路、汽車(chē)、航空航天、醫療器械等行業(yè)。 據官網(wǎng)信息，Ferrotec（中國）從事半導體硅片、熱電半導體致冷材料與器件、半導體石英制品、精密陶瓷制品、半導體真空傳動(dòng)裝置及大型腔體、電子束蒸發(fā)鍍膜機、精密洗凈、覆銅陶瓷基板（DCB、AMB、DPC）、半導體裝備、單晶爐等產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷(xiāo)售，產(chǎn)品涉及電子、半導體、機械加工、太陽(yáng)能發(fā)電、汽車(chē)/新能源汽車(chē)、家用電器和醫療器械等眾多領(lǐng)域。 其中，關(guān)于洗凈再生技術(shù)，Ferrotec（中國）官網(wǎng)指出，該技術(shù)是通過(guò)化學(xué)和物理的方法把精密parts上的膜質(zhì)或其它粒子清除掉，再運用物理與化學(xué)拋光、噴砂、熱噴涂和電鍍表面處理的方法再生處理parts表面，使其達到循環(huán)再使用的功能。Ferrotec（中國）重點(diǎn)洗凈項目包括半導體12nm清洗，該公司主要致力研發(fā)半導體12nm logic的清洗工藝，并保證工藝穩定性，以達到量產(chǎn)目的。 芯片設計：芯鼎科技x日本AI方案商 近日，神盾集團旗下IC設計廠(chǎng)商芯鼎科技宣布，與日本領(lǐng)先的AI方案商達成設計委托合作，將委托芯鼎科技采用ISP Solution SoC系統芯片方案平臺來(lái)為其開(kāi)發(fā)最新一代的視覺(jué)圖像處理系統芯片SoC。 芯鼎科技表示，此次合作代表著(zhù)公司正式進(jìn)入ISP的ASIC設計服務(wù)領(lǐng)域，增加未來(lái)營(yíng)運成長(cháng)動(dòng)能。 此設計委托案將結合策略伙伴先進(jìn)的立體視覺(jué)及AI引擎與芯鼎科技的圖像處理系統芯片平臺，包括ThetaEye AI圖像信號處理(AI-ISP)知識產(chǎn)權，及所有AI影像處理壓縮與通訊傳輸儲存顯示等系統運作功能模塊。 資料顯示，芯鼎科技股份有限公司成立于2009年，從事數位相機圖像圖像及視訊處理芯片設計開(kāi)發(fā)及銷(xiāo)售，應用在數位相機、運動(dòng)相機、行車(chē)記錄儀與居家監控相機領(lǐng)域。 目前，芯鼎科技已與多個(gè)客戶(hù)進(jìn)行客制化系統芯片方案平臺設計服務(wù)的討論，開(kāi)拓ThetaEye AI芯片設計服務(wù)業(yè)務(wù)的發(fā)展。 |
