新思科技公布1.6納米背面布線(xiàn)項目,引領(lǐng)萬(wàn)億晶體管芯片新紀元

發(fā)布時(shí)間:2024-9-29 15:05    發(fā)布者:eechina
全球領(lǐng)先的電子設計自動(dòng)化EDA)解決方案提供商新思科技(Synopsys)近日正式公布了其1.6納米背面電源布線(xiàn)項目,這一項目將對未來(lái)萬(wàn)億晶體管芯片的設計和生產(chǎn)產(chǎn)生深遠影響。

據了解,新思科技與臺積電正在緊密合作,共同開(kāi)發(fā)支持臺積電A16 1.6納米工藝的背面布線(xiàn)功能。該技術(shù)旨在解決萬(wàn)億晶體管設計面臨的電源分配和信號布線(xiàn)難題,確保芯片在極小的尺寸下仍能保持高效的性能輸出。盡管名稱(chēng)上仍保留“納米”單位,但臺積電將其命名為A16,即16埃米,這一比納米更小的單位實(shí)際上反映了技術(shù)難度的大幅提升。

A16 1.6納米工藝采用創(chuàng )新的背側電源軌方案,該方案能夠分離電源線(xiàn)與訊號線(xiàn)的配置,有效緩解晶圓正面的擁塞問(wèn)題,從而推動(dòng)邏輯芯片的持續微縮。同時(shí),背側電源軌方案還能顯著(zhù)增強供電效能,提升系統性能。據估算,相比于當前先進(jìn)的N2P工藝,A16技術(shù)能在相同條件下提供高達8-10%的速度提升,并在相同速度下降低15-20%的功率消耗,最終實(shí)現芯片密度的顯著(zhù)提升。

為了應對日益復雜的物理驗證規則,新思科技還推出了互操作工藝設計工具包(iPDK)和IC Validator物理驗證運行集。這些工具將幫助設計團隊高效地將設計過(guò)渡到臺積電N2 2納米技術(shù),為萬(wàn)億晶體管芯片的成功研發(fā)提供有力支持。
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