|
來(lái)源：TrendForce集邦咨詢(xún) 第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買(mǎi)賣(mài)方庫存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開(kāi)始下跌。 TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，先前受三大供應商積極建置HBM產(chǎn)能，加上預計新廠(chǎng)到2026年才會(huì )步入量產(chǎn)階段等影響，TrendForce集邦咨詢(xún)原本對于2025年DRAM價(jià)格走勢看法偏樂(lè )觀(guān)。然而，近期市場(chǎng)動(dòng)態(tài)變化快速，使得TrendForce集邦咨詢(xún)對明年的價(jià)格預測進(jìn)行調整，2025年DRAM價(jià)格將轉為下跌，上半年的跌幅較明顯，其中，DDR4和LPDDR4X的降價(jià)壓力將持續大于DDR5與LPDDR5X。 從供給角度分析，由于NAND Flash市況同步轉弱且獲利能力較DRAM產(chǎn)品差，將促使部分產(chǎn)線(xiàn)從NAND Flash轉向DRAM。此外，雖然HBM3e 12hi明年有望快速成為AI應用主流，但并非每家供應商都能如期通過(guò)NVIDIA（英偉達）認證，因此供應商將TSV產(chǎn)能轉回一般型DRAM（conventional DRAM）的可能性增加。 吳雅婷表示，業(yè)界產(chǎn)能擴張快速，除此之外，消費型電子產(chǎn)品需求持續弱化，也將為2025年DRAM價(jià)格走勢帶來(lái)沖擊，若廠(chǎng)商未能做好產(chǎn)能調控，整體產(chǎn)業(yè)庫存的去化速度將更加緩慢。 |
