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在“2012年歐洲電力電子、智能運動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì )與展覽會(huì )”上，英飛凌推出新的CoolSiC 1200V 系列，該產(chǎn)品系列增強了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開(kāi)發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗。 SiC JFET 英飛凌科技股份公司高壓功率轉換產(chǎn)品部負責人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飛凌已針對需要高效電源管理的市場(chǎng)推出了多項突破性技術(shù)。CoolSiC 也是一種革命性的創(chuàng )新技術(shù)，可將太陽(yáng)能逆變器的性能提升至新的水平。憑借新型SiC JFET技術(shù)，我們可以幫助客戶(hù)開(kāi)發(fā)出更好的氣候保護解決方案�！� 與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開(kāi)關(guān)損耗，在不犧牲系統總體效率的情況下，可以支持更高的開(kāi)關(guān)頻率。這為使用更小的無(wú)源元件創(chuàng )造了條件，其結果是縮小客戶(hù)設計的產(chǎn)品的尺寸，降低其重量，并壓縮系統成本。換言之，設計人員可在不增加太陽(yáng)能逆變器體積的情況下，實(shí)現更高的輸出功率。 為了確保常通型JFET技術(shù)的安全性和易用性，英飛凌開(kāi)發(fā)出一種被稱(chēng)為直驅技術(shù)的概念。在這一概念中，JFET與外部低壓MOSFET和專(zhuān)用的驅動(dòng)芯片組合在一起，確保了安全的系統啟動(dòng)，以及快速可控的開(kāi)關(guān)。 CoolSiCTM JFET集成了一個(gè)體二極管，其開(kāi)關(guān)性能可媲美外置SiC肖特基勢壘二極管。這種組合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。 
供貨和定價(jià) CoolSiC JFET產(chǎn)品和驅動(dòng)芯片的首批樣品于2012年第二季度供貨。OEM量產(chǎn)預計將于2013年上半年開(kāi)始。IJW120R100T1 （100mOhm）的定價(jià)為每件24.90美元（ |
