ST位于法國Crolles的晶圓廠(chǎng)即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2012-12-13 16:56    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 28nm , FD-SOI
經(jīng)過(guò)硅驗證的制程將提高30%的生產(chǎn)速度,并降低50%的功耗

意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí),而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗,意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰,滿(mǎn)足多媒體和便攜應用市場(chǎng)的需求。

FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗證的設計平臺和設計流程。技術(shù)平臺包括全套的基礎程式庫(標準單元、存儲器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口);設計流程適合開(kāi)發(fā)高速的高能效器件。

較傳統制造技術(shù),FD-SOI技術(shù)可在大幅提升性能的同時(shí)大幅降低功耗,因此ST-Ericsson選擇采用意法半導體的FD-SOI技術(shù)設計未來(lái)的移動(dòng)平臺。

意法半導體執行副總裁、數字產(chǎn)品部總經(jīng)理兼首席技術(shù)與制造官Jean-Marc Chery表示:“在產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域,意法半導體在很久以前就開(kāi)始探索新的解決方案。FD-SOI技術(shù)的投產(chǎn),使意法半導體再次躋身全球最具創(chuàng )新力的半導體技術(shù)研發(fā)制造企業(yè)之列,后端晶圓測試證明,較傳統制造技術(shù),FD-SOI在性能和功耗方面具有明顯優(yōu)勢,讓我們能夠在28納米技術(shù)節點(diǎn)創(chuàng )建高成本效益的工業(yè)解決方案。ST-Ericsson的 NovaThor ModAp的最大處理頻率超過(guò)2.5Ghz,在0.6V時(shí)達到800MHz,對該平臺的子系統的測試證明,該技術(shù)符合設計預期,具有靈活性和寬電壓范圍,可支持電壓和頻率動(dòng)態(tài)調整(DVFS)!

與制造成功同等重要的是,意法半導體發(fā)現了從28納米傳統CMOS制程(Bulk CMOS)向 28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP的簡(jiǎn)單方法,由于沒(méi)有 MOS歷史效應,用傳統CAD工具和方法設計FD-SOI數字系統級芯片的過(guò)程與設計體效應器件完全相同。FD-SOI能夠用于制造高能效的器件,必要時(shí),動(dòng)態(tài)體偏壓能讓器件立即進(jìn)入高性能模式,而其余時(shí)間保持在低泄漏電流模式,這些對于應用軟件、操作系統和高速緩存系統都完全透明。較體效應CMOS制程技術(shù),FD-SOI可實(shí)現更優(yōu)異的性能及低工作電壓,并擁有非常出色的能效。

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gaoyongwen 發(fā)表于 2012-12-16 06:54:03
hao
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