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經(jīng)過(guò)硅驗證的制程將提高30%的生產(chǎn)速度，并降低50%的功耗 意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰，滿(mǎn)足多媒體和便攜應用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗證的設計平臺和設計流程。技術(shù)平臺包括全套的基礎程式庫（標準單元、存儲器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口）；設計流程適合開(kāi)發(fā)高速的高能效器件。 較傳統制造技術(shù)，FD-SOI技術(shù)可在大幅提升性能的同時(shí)大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選擇采用意法半導體的FD-SOI技術(shù)設計未來(lái)的移動(dòng)平臺。 意法半導體執行副總裁、數字產(chǎn)品部總經(jīng)理兼首席技術(shù)與制造官Jean-Marc Chery表示：“在產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，意法半導體在很久以前就開(kāi)始探索新的解決方案。FD-SOI技術(shù)的投產(chǎn)，使意法半導體再次躋身全球最具創(chuàng )新力的半導體技術(shù)研發(fā)制造企業(yè)之列，后端晶圓測試證明，較傳統制造技術(shù)，FD-SOI在性能和功耗方面具有明顯優(yōu)勢，讓我們能夠在28納米技術(shù)節點(diǎn)創(chuàng )建高成本效益的工業(yè)解決方案。ST-Ericsson的 NovaThor ModAp的最大處理頻率超過(guò)2.5Ghz，在0.6V時(shí)達到800MHz，對該平臺的子系統的測試證明，該技術(shù)符合設計預期，具有靈活性和寬電壓范圍，可支持電壓和頻率動(dòng)態(tài)調整（DVFS）�！� 與制造成功同等重要的是，意法半導體發(fā)現了從28納米傳統CMOS制程（Bulk CMOS）向 28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP的簡(jiǎn)單方法，由于沒(méi)有 MOS歷史效應，用傳統CAD工具和方法設計FD-SOI數字系統級芯片的過(guò)程與設計體效應器件完全相同。FD-SOI能夠用于制造高能效的器件，必要時(shí)，動(dòng)態(tài)體偏壓能讓器件立即進(jìn)入高性能模式，而其余時(shí)間保持在低泄漏電流模式，這些對于應用軟件、操作系統和高速緩存系統都完全透明。較體效應CMOS制程技術(shù)，FD-SOI可實(shí)現更優(yōu)異的性能及低工作電壓，并擁有非常出色的能效。 |
