英飛凌發(fā)布OptiMOS 5 150V產(chǎn)品,大幅降低導通電阻和反向恢復電荷

發(fā)布時(shí)間:2016-10-19 11:10    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: OptiMOS , 功率MOSFET
英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設計和應用的OptiMOS 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專(zhuān)門(mén)針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太陽(yáng)能電源優(yōu)化器等系統解決方案的重要組成部分之一。

更環(huán)保的技術(shù)


英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設計的產(chǎn)品,以幫助減少全球二氧化碳排放。OptiMOS 5 150 V有助于實(shí)現這一目標,它可以降低電信設備能耗,或者改善電動(dòng)汽車(chē)的功率和續航里程。

與它的下一代最佳替代產(chǎn)品相比,采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150 V可以將導通電阻RDS(on) 大幅降低25%。在導通電阻相同的情況下,該產(chǎn)品家族的FOMg比上一代產(chǎn)品優(yōu)化了高達29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代產(chǎn)品SuperSO8低72%——增強了通流耐受性。該產(chǎn)品家族的另一個(gè)杰出特性是其更出色的EMI性能。

更多信息請訪(fǎng)問(wèn):http://www.infineon.com/OptiMOS5-150V




采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150 V可以將導通電阻RDS(on) 大幅降低25%。超低Qrr——比采用SuperSO8封裝僅次于它的替代產(chǎn)品低72%——增強了通流耐受性。

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