QORVO新推GAN-ON-SIC晶體管,提高戰術(shù)和公共安全電臺的效率和帶寬

發(fā)布時(shí)間:2017-6-30 11:01    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: GaN-on-SiC , GaN , SiC
緊湊型50V晶體管降低電流損耗、簡(jiǎn)化設計

Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,該晶體管系列可以提高性能、增強功能,并加快任務(wù)關(guān)鍵型戰術(shù)和公共安全電臺的開(kāi)發(fā)速度。這些晶體管針對寬帶應用進(jìn)行過(guò)輸入匹配處理,并且尺寸小巧,可以實(shí)現尺寸更小的新一代通信設備。

Qorvo基礎設施與國防產(chǎn)品部總裁James Klein表示:“應急響應人員必須通過(guò)多個(gè)通道進(jìn)行通信,所以擁有可靠的數字、視頻、GPS等寬帶訪(fǎng)問(wèn)能力成為必要——這一切都發(fā)生在極具挑戰性的條件下。我們的新型晶體管可在三個(gè)不同功率水平下提供更高的電壓,這一優(yōu)勢最終會(huì )轉換成為功能更強、容量更大、可靠性更高的電臺!

Qorvo是50V寬帶匹配GaN-on-SiC晶體管的唯一供應商。電壓更高的晶體管具有多種關(guān)鍵優(yōu)勢,其中包括更大的輸出功率,更小的電流損耗,更高的可靠性;系統設計中要求的此類(lèi)晶體管數量也更少。另外,寬帶匹配可以提高能效,從而為應急設備打造出優(yōu)化的電路板設計。Qorvo今天推出的最新晶體管專(zhuān)門(mén)針對空間受限的任務(wù)關(guān)鍵型應用而設計,從地面移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電通信,到航空電子、測試儀表,應用非常廣泛。

產(chǎn)品型號P3dB (W)PAE @ 1GHz頻段封裝尺寸 (mm)
QPD10042573.20%30-1200MHz6x5
QPD10141569.50%30-1200MHz6x5
QPD1011760.00%30-1200MHz6x5

Qorvo 提供多種高功率和高頻RF晶體管,包括GaAs pHEMT和GaN HEMT,二者均提供裸片和封裝兩種形式。有關(guān)這些產(chǎn)品的更多信息,請訪(fǎng)問(wèn):http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors。
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