英飛凌OptiMOS 3和5同類(lèi)最佳(BiC)功率MOSFET采用節省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩健性，從而降低系統成本和提升整體性能�？蛻�(hù)可以訪(fǎng)問(wèn)儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性?xún)r(jià)比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來(lái)更低的滿(mǎn)載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過(guò)顯著(zhù)減小電壓過(guò)沖來(lái)提高系統可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時(shí)也減少了工程成本和工作量。 這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實(shí)現在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長(cháng)使用壽命的設計。此外，隨著(zhù)額定溫度的增加，安全工作區域(SAO)亦改善了20%。 這些BiC MOSFET具有出色的性能數據，非常適合電信、服務(wù)器、三相逆變器、低壓驅動(dòng)器以及D類(lèi)音頻等應用。英飛凌OptiMOS BiC功率MOSFET產(chǎn)品系列包括60V至250V型款。 客戶(hù)可以在儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn 上找到有關(guān)英飛凌OptiMOS BiC功率MOSFET產(chǎn)品系列的更多信息，還可以直接下訂單： https://www.rutronik24.com.cn/se ... %20TMOS2542/reset:0 如需了解更多有關(guān)信息，請聯(lián)系英飛凌代理商Rutronik相關(guān)人員：Tommy Xie：+86 185 8825 1633 |
